[发明专利]等离子体蚀刻的控制方法有效
| 申请号： | 200810207618.X | 申请日： | 2008-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101764040A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/768;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 控制 方法 | ||
1.一种等离子体蚀刻的控制方法，应用于通孔，其特征在于，该方法 包括：
在等离子体蚀刻工艺中，作用于等离子体的偏转功率从初始值逐步增大到 最终值，所使用的氧气流量从初始值逐步减小到最终值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述作用于等离子体的偏转功率的初始值小于或等于预先设置的第一功率 阈值；所述氧气流量的初始值大于或等于预先设置的第一流量阈值。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述第一功率阈值和第一流量阈值分别为根据实际蚀刻条件所确定的固定 值。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
所述作用于等离子体的偏转功率的初始值为1500瓦，所述氧气流量的初始 值为10标准毫升/分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述作用于等离子体的偏转功率的最终值大于或等于预先设置的第二功率 阈值；所述氧气流量的最终值小于或等于预先设置的第二流量阈值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述第二功率阈值和第二流量阈值分别为根据实际蚀刻条件所确定的固定 值。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：
所述作用于等离子体的偏转功率的最终值为3000瓦，所述氧气流量的最终 值为0标准毫升/分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述逐步增大为线性地增大或按设定的第一步长逐步增大；所述逐步减小 为线性地减小或按设定的第二步长逐步减小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
