[发明专利]PLDD掺杂区的形成方法及PMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810205395.3 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101770953A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 何永根;周祖源;刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PLDD掺杂区的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底具有初始温度；对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度，并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；其中，所述第一温度小于或等于550℃。本发明还提供一种PMOS器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | pldd 掺杂 形成 方法 pmos 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种PLDD掺杂区的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底具有初始温度；对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度，并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；其中，所述第一温度小于或等于550℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
