[发明专利]PLDD掺杂区的形成方法及PMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种PMOS器件的LDD的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底 具有初始温度；

对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；

执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度， 并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；

将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；

将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；

其中，所述第一温度小于或等于550℃。

2.如权利要求1所述的PMOS器件的LDD的形成方法，其特征 在于：所述第一温度为500℃。

3.如权利要求2所述的PMOS器件的LDD的形成方法，其特征 在于：保持所述半导体衬底于所述第一温度的时间为10秒至30秒。

4.如权利要求3所述的PMOS器件的LDD的形成方法，其特征 在于：保持所述半导体衬底于所述第一温度的时间为15秒。

5.如权利要求1或2或3或4所述的PMOS器件的LDD的形成 方法，其特征在于：所述半导体衬底由第一温度升高至峰值温度的升温 速度大于由初始温度升高至第一温度的升温速度。

6.如权利要求1或2或3或4所述的PMOS器件的LDD的形成 方法，其特征在于：所述峰值温度为900℃至1000℃。

7.一种PMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底 具有初始温度；

对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；

执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度， 并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；

将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；

将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；

降温至初始温度之后，在所述栅极侧壁形成侧壁层；

在所述侧壁层周围的衬底区域执行P型重掺杂工艺，形成重掺杂 区；

对形成有所述重掺杂区的半导体衬底执行退火工艺；

其中，所述第一温度小于或等于550℃。

8.如权利要求7所述的PMOS器件的制造方法，其特征在于，所 述退火工艺为尖峰快速热退火，包括如下步骤：

升高所述半导体衬底至第二温度，并保持所述第二温度至少1秒；

将所述半导体衬底温度由所述第二温度升高至第二峰值温度；

将所述半导体衬底由峰值温度降低至初始温度；其中，所述第二温 度小于或等于550℃。

9.如权利要求8所述的PMOS器件的制造方法，其特征在于：所 述第二温度为500℃。

10.如权利要求8或9所述的PMOS器件的制造方法，其特征在于： 保持所述半导体衬底于所述第二温度的时间为10秒至30秒。

11.如权利要求7或8或9所述的PMOS器件的制造方法，其特征 在于：所述第一温度为500℃。

12.如权利要求7或8或9所述的PMOS器件的制造方法，其特征 在于：保持所述半导体衬底于所述第一温度的时间为10秒至30秒。

13.如权利要求7或8或9所述的PMOS器件的制造方法，其特征 在于：保持所述半导体衬底于所述第一温度的时间为15秒。