[发明专利]一种大容量EEPROM存储器读放电路有效
| 申请号： | 200810204120.8 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101425339A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王光春 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大容量EEPROM存储器读放电路，包括串联的第一电流源ISO、EEMOS管，所述的EEMOS管的源端接地、栅极上加固定电压、漏端通过一输出电路输出电位，该EEMOS管的漏端还通过一寄生电容Cp接地，还包括一串联连接的引出电路和比较电路，所述的引出电路设置于所述的EEMOS管和第一电流源ISO之间，所述的比较电路的输入端与所述的引出电路的输出端相连，输出端与所述的输出电路的输入端相连。本发明通过引出和比较流过EE MOS的电流的方法来检测EE MOS是导通还是截止，进而读出储存的数据，大幅度提高大容量EEPROM存储器的读放速度而不受存储单元最大允许电流的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 eeprom 存储器 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种大容量EEPROM存储器读放电路，包括串联的第一电流源IS0、EEMOS管，所述的EEMOS管的源端接地、栅极上加固定电压、漏端通过一输出电路输出电位，该EEMOS管的漏端还通过一寄生电容Cp接地，其特征在于，还包括一串联连接的引出电路和比较电路，所述的引出电路设置于所述的EEMOS管和第一电流源IS0之间，所述的比较电路的输入端与所述的引出电路的输出端相连，输出端与所述的输出电路的输入端相连。
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