[发明专利]一种大容量EEPROM存储器读放电路

权利要求书

1.一种大容量EEPROM存储器读放电路，包括串联的第一电流源IS0、EEMOS管，所述的EEMOS管的源端接地、栅极上加固定电压、漏端通过一输出电路输出电位，该EEMOS管的漏端还通过一寄生电容Cp接地，其特征在于，还包括一串联连接的引出电路和比较电路，所述的引出电路设置于所述的EEMOS管和第一电流源IS0之间，所述的比较电路的输入端与所述的引出电路的输出端相连，输出端与所述的输出电路的输入端相连；

所述的引出电路包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2和第一NMOS管N1，所述的第一电流源IS0分别与第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的漏端相连，所述的第一PMOS管P1的源端分别与EEMOS管的漏端以及第一PMOS管P1的栅极相连，第一PMOS管P1的栅极与所述的第二PMOS管P2的栅极相连，第二PMOS管P2的源端与所述的第一NMOS管N1的漏端相连，该第一NMOS管N1的源端接地、栅极与其漏端相连后输出信号给所述的比较电路；

所述的比较电路包括串联连接的第二电流源IS1和第二NMOS管N2，所述的第二NMOS管N2的源端接地，栅极与所述的引出电路的输出端相连，漏端分别与所述的第二电流源IS1和输出电路相连。