[发明专利]一种绿光发光二极管的制造方法

摘要

本发明涉及一种绿光发光二极管的制造方法，其主要通过在外延生长InGaN/GaN量子阱中引入一层插入层的方法减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，从而获得高亮度的，抗静电能力强的绿光发光二极管。引入插入层后，300微米×300微米的520nm的绿光LED芯片的20mA下的亮度由100mcd升高至250mcd，芯片的抗静电能力由人体模式500V提高至人体模式4000V。

主权项

1.一种绿光发光二极管的制造方法，其采用MOCVD方法，利用高纯NH3做N源，三甲基镓或三乙基镓做镓源，三甲基铟做铟源，三甲基铝做铝源，硅烷用作n型掺杂剂，二茂镁用作p型掺杂剂，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，在MOCVD反应室里高温下用H2处理蓝宝石衬底表面，然后降温生长低温成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层，该GaN缓冲层包括非掺杂GaN层及掺Si的n型GaN层；步骤二，将温度降低到650～750℃间，载气切换为N2，在GaN缓冲层上生长InxGa1-xN/GaN量子阱，其中0.15≤x≤0.35，所述InxGa1-xN/GaN量子阱包括InGaN阱层，插入层及GaN垒层，其中TEGa的摩尔流量为0.1×10-5摩尔/分钟至1.5×10-5摩尔/分钟，TMIn的摩尔流量为5×10-5摩尔/分钟至10×10-5摩尔/分钟之间或TMAl的摩尔流量为0～1.0×10-5摩尔摩尔/分钟，NH3的流量为12升/分钟。步骤三，在InxGa1-xN/GaN量子阱层上生成p型AlGaN电子阻挡层及p型GaN层。