[发明专利]一种绿光发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 200810200456.7 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101359710A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;郝茂盛;颜建锋;周健华;张国义 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种绿光发光二极管的制造方法，其采用MOCVD方法，利用高纯NH3做N源，三甲 基镓或三乙基镓做镓源，三甲基铟做铟源，三甲基铝做铝源，硅烷用作n型掺杂剂，二茂镁 用作p型掺杂剂，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一，在MOCVD反应室里高温下用H2处理蓝宝石衬底表面，然后降温生长低温成核 层，接着在高温下生长GaN缓冲层，该GaN缓冲层包括非掺杂GaN层及掺Si的n型GaN 层；
步骤二，将温度降低到650～750℃间，载气切换为N2，在GaN缓冲层上生长InxGa1-xN/GaN 量子阱，其中0.15≤x≤0.35，所述InxGa1-xN/GaN量子阱包括InGaN阱层，插入层及GaN垒 层，其中TEGa的摩尔流量为0.1×10-5～1.5×10-5摩尔/分钟，TMIn的摩尔流量为5×10-5～ 10×10-5摩尔/分钟或TMAl的摩尔流量为0～1.0×10-5摩尔/分钟，NH3的流量为12升/分钟；该 插入层是InyGa1-yN，其中x＜y≤1；或AlzGa1-zN，其中0＜z≤1；
步骤三，在InxGa1-xN/GaN量子阱层上生成p型AlGaN电子阻挡层及p型GaN层。
2.如权利要求1所述的一种绿光发光二极管的制造方法，其特征在于：所述量子阱的数目 为1～20。
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