[发明专利]一种Ti-Si-N纳米涂层的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810197656.1 申请日: 2008-11-17
公开(公告)号: CN101403116A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 熊惟皓;刘文俊;杨青青;瞿峻;叶大萌;姚振华;张修海;陈文婷;王小梅 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C23C8/02;C23C8/24;C23C14/02;C23C14/36
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 方 放
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种Ti-Si-N纳米涂层的制备方法,属于工、模具涂层的制备方法,解决现有反应磁控溅射法所制备涂层在工作环境下易于脱落的问题,实现过渡层与涂层之间的冶金结合,从而提高涂层的力学性能。本发明包括:(1)预处理步骤;(2)溅射清洗步骤;(3)离子渗氮步骤;(4)制备过渡层步骤;(5)制备表面层步骤。本发明生产效率高、成本低,制备的涂层与金属陶瓷刀具基体的临界载荷Lc≥65N,表面显微硬度HV≥3400,适于制作用于高速干式铣削不锈钢、铁基高温合金、高强结构钢、耐磨铸钢和玻封合金等难切削材料的涂层刀具,在汽车、航空、航天和能源装备等制造行业具有很好的推广应用前景。
搜索关键词: 一种 ti si 纳米 涂层 制备 方法
【主权项】:
1.一种Ti-Si-N纳米涂层的制备方法,包括:(1)预处理步骤:对金属陶瓷刀具表面打磨、抛光、除油;(2)溅射清洗步骤:将经过预处理的金属陶瓷刀具装入反应炉中,抽真空后,通入Ar气,金属陶瓷刀具加上800V~900V的负偏压,在电场作用下,用Ar离子对金属陶瓷刀具进行溅射清洗,时间10~15min;(3)离子渗氮步骤:通入N2,调节N2和Ar气的流量比为3∶1~4∶1,控制反应炉内总压力为0.3~0.5Pa,金属陶瓷刀具负偏压为600~900V,渗氮时间为2~3小时;(4)制备过渡层步骤:对渗氮处理后的金属陶瓷刀具表面进行弧光清洗,时间为4~5min,然后开启Ti靶,Ti靶电流40~60A,沉积梯度TiN过渡层;(5)制备表面层步骤:采用多靶溅射制备纳米TiN/α-Si3N4涂层,Ti靶电流50~70A,Si靶电流为40~60A,沉积温度为300~500℃,金属陶瓷刀具负偏压为150-250V,调节N2和Ar气的流量比为4∶1~7∶1,控制反应炉内总压力为0.4~0.7Pa,沉积时间50~100min。
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