[发明专利]一种Ti-Si-N纳米涂层的制备方法无效
申请号: | 200810197656.1 | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN101403116A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 熊惟皓;刘文俊;杨青青;瞿峻;叶大萌;姚振华;张修海;陈文婷;王小梅 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C8/02;C23C8/24;C23C14/02;C23C14/36 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 方 放 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ti si 纳米 涂层 制备 方法 | ||
1.一种金属陶瓷刀具上Ti-Si-N纳米涂层的制备方法,包括:
(1)预处理步骤:对金属陶瓷刀具表面打磨、抛光、除油;
(2)溅射清洗步骤:将经过预处理的金属陶瓷刀具装入反应炉中,抽真空后,通入Ar气,金属陶瓷刀具加上800V~900V的负偏压,在电场作用下,用Ar离子对金属陶瓷刀具进行溅射清洗,时间10~15min;
(3)离子渗氮步骤:通入N2,调节N2和Ar气的流量比为3∶1~4∶1,控制反应炉内总压力为0.3~0.5Pa,金属陶瓷刀具负偏压为600~900V,渗氮时间为2~3小时;
(4)制备过渡层步骤:对渗氮处理后的金属陶瓷刀具表面进行弧光清洗,时间为4~5min,然后开启Ti靶,Ti靶电流40~60A,沉积梯度TiN过渡层;
(5)制备表面层步骤:采用多靶溅射制备纳米TiN/α-Si3N4涂层,Ti靶电流50~70A,Si靶电流为40~60A,沉积温度为300~500℃,金属陶瓷刀具负偏压为150-250V,调节N2和Ar气的流量比为4∶1~7∶1,控制反应炉内总压力为0.4~0.7Pa,沉积时间50~100min。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:
所述溅射清洗步骤中,真空度<2×10-3Pa,通入Ar气压力5~10Pa;
所述离子渗氮步骤中,反应炉内温度为400~600℃。
3.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:
所述制备过渡层步骤中,沉积梯度TiN过渡层过程为:先将N2和Ar气的流量比控制为2∶1~3∶1,反应炉内总压力控制在0.2~0.3Pa,时间10~15min;再将N2和Ar气的流量比逐步增加至4∶1~6∶1,反应炉内总压力逐步增加至0.3~0.5Pa,时间10~15min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810197656.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:由甲醇制备丙烯的方法
- 下一篇:影像传感器位置的校正方法
- 同类专利
- 专利分类