[发明专利]一种Ti-Si-N纳米涂层的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810197656.1 申请日: 2008-11-17
公开(公告)号: CN101403116A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 熊惟皓;刘文俊;杨青青;瞿峻;叶大萌;姚振华;张修海;陈文婷;王小梅 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C23C8/02;C23C8/24;C23C14/02;C23C14/36
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 方 放
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 ti si 纳米 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种金属陶瓷刀具上Ti-Si-N纳米涂层的制备方法,包括:

(1)预处理步骤:对金属陶瓷刀具表面打磨、抛光、除油;

(2)溅射清洗步骤:将经过预处理的金属陶瓷刀具装入反应炉中,抽真空后,通入Ar气,金属陶瓷刀具加上800V~900V的负偏压,在电场作用下,用Ar离子对金属陶瓷刀具进行溅射清洗,时间10~15min;

(3)离子渗氮步骤:通入N2,调节N2和Ar气的流量比为3∶1~4∶1,控制反应炉内总压力为0.3~0.5Pa,金属陶瓷刀具负偏压为600~900V,渗氮时间为2~3小时;

(4)制备过渡层步骤:对渗氮处理后的金属陶瓷刀具表面进行弧光清洗,时间为4~5min,然后开启Ti靶,Ti靶电流40~60A,沉积梯度TiN过渡层;

(5)制备表面层步骤:采用多靶溅射制备纳米TiN/α-Si3N4涂层,Ti靶电流50~70A,Si靶电流为40~60A,沉积温度为300~500℃,金属陶瓷刀具负偏压为150-250V,调节N2和Ar气的流量比为4∶1~7∶1,控制反应炉内总压力为0.4~0.7Pa,沉积时间50~100min。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

所述溅射清洗步骤中,真空度<2×10-3Pa,通入Ar气压力5~10Pa;

所述离子渗氮步骤中,反应炉内温度为400~600℃。

3.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:

所述制备过渡层步骤中,沉积梯度TiN过渡层过程为:先将N2和Ar气的流量比控制为2∶1~3∶1,反应炉内总压力控制在0.2~0.3Pa,时间10~15min;再将N2和Ar气的流量比逐步增加至4∶1~6∶1,反应炉内总压力逐步增加至0.3~0.5Pa,时间10~15min。

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