[发明专利]具有集成电路元件的半导体结构及其形成和操作的方法

摘要

本发明揭露一种集成电路元件，包含薄膜晶体管，叠层阵列，且在无接面的NAND组态下采用带隙工程隧穿层。所述集成电路元件包含通道区域，被形成于绝缘层上的半导体主体内；隧穿介电结构，被置于该通道区域上，且隧穿介电结构包含多层结构，又该多层结构包含至少一具有空穴隧穿能障高度层，而该空穴隧穿能障高度小于该层与该通道区域间的界面的空穴隧穿能障高度；电荷储存层，被放置于该隧穿介电结构上；绝缘层，被放置于该电荷储存层上；以及栅极电极，被放置于该绝缘层上。具有该集成电路元件的半导体结构及其操作方法也被描述。

主权项

1、一种集成电路元件，其包含：一半导体主体，其位于一介电层上；多个栅极，其位于该半导体主体上，布置成一栅极序列，所述栅极包含在该栅极序列上的一第一栅极以及一最末栅极，该栅极序列之间具有绝缘构件以分隔该栅极序列内的各个相邻的栅极；以及一电荷储存结构，其包含介电电荷捕捉位置于该栅极序列内的所述栅极的至少二个栅极之下，该电荷储存结构包含一置于该半导体主体上的隧穿介电结构、一置于该隧穿介电结构上的电荷储存层、以及一置于该电荷储存层上的绝缘层；其中该半导体主体是包含在该栅极序列内的该多个栅极之下的一多栅极通道区域。