[发明专利]单层多晶型EEPROM及其制造方法

摘要

本发明实施例涉及一种单层多晶型EEPROM及其制造方法。根据本发明实施例，单层多晶型EEPROM可以包括多个单位单元。一个单位单元可以包括位于控制节点一侧的浮置栅极，该浮置栅极形成在具有有源区和器件隔离区的半导体衬底上和/或上方，并且该浮置栅极不与器件隔离区重叠而仅与有源区的顶部重叠。可以在有源区的顶部上和/或上方形成选择栅极。根据本发明实施例，控制节点侧的电容量与位线侧的电容量的比率可以增加，这可以提高耦合比。根据本发明实施例，可以不通过用杂质掺杂浮置栅极来使结电容量最大化，这样可以通过确保设计余量来允许芯片尺寸减小。

主权项

1. 一种器件，包括：半导体衬底，包括有源区和器件隔离区；浮置栅极，位于所述半导体衬底上方的控制节点的一侧，所述浮置栅极与所述有源区的顶部重叠而不与所述器件隔离区重叠；以及选择栅极，形成于所述有源区的顶部的上方。