[发明专利]用于功率半导体器件的改进的锯齿电场漂移区域结构有效
| 申请号： | 200810185082.6 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101478000A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/74;H01L29/861;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/332;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁;王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成在半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体功率器件进一步包含在半导体衬底的漂移区域上的若干排传导形式相互交替的水平柱薄层，其每一个薄层的厚度确保当半导体功率器件导通时候可以击穿该薄层。在一个特定的实施方式中，该薄层的厚度满足电荷平衡公式：q*ND*WN＝q*NA*WP和击穿条件WP＜2*WD*[ND/(NA+ND)]，其中ND和WN代表N型层160的掺杂浓度和厚度，而NA和WP代表P型层的掺杂浓度和厚度；WD代表耗尽宽度；q代表电子电荷，可以相互抵消。该器件在击穿电压下达到接近理想矩形电场分布和类似锯齿的边缘(ridges)。在另外一个特定实施例中，半导体功率器件还包括一个金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。在另外一个特定实施例中，该半导体功率器件还包括一个功率二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 半导体器件 改进 锯齿 电场 漂移 区域 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种形成在半导体衬底上的半导体功率器件，包含：位于半导体衬底的漂移区域上的若干排相互交替的P-型和N-型掺杂层，所述的每一个薄层的掺杂浓度和厚度可以确保在传导模式下所述的交替掺杂层的电荷平衡和击穿。
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