[发明专利]三维存储器集成电路

摘要

三维存储器集成电路本发明提供了一种含有半3D-M层的三维存储器系统芯片(3DM-SoC)。它充分利用了三维存储器(3D-M)可堆叠于衬底电路上的特点，将SoC芯片中嵌入式存储器上的闲置互连线层转化为3D-M。该转化过程以极低的额外工艺成本，在基本不增加芯片面积的前提下能极大地增加SoC的存储容量，提高其性能。本发明还提供了一种具有大3D-M基本阵列的3DM-SoC，它可以避免因3D-M与系统的集成而需要对独立衬底电路块的版图进行改动。

主权项

一种三维存储器集成电路，其特征在于含有：第一互连线层(IL3)和高于并紧邻于第一互连线层的第二互连线层(IL4)；在该第一和第二互连线层之间具有至少两种连接方式：1)至少一通道孔(38)，该通道孔对所述第一和第二互连线层提供双向电连接；2)至少一3D-M膜(36)，该3D-M膜为所述第一和第二互连线层提供单向电连接。