[发明专利]三维存储器集成电路

权利要求书

1.一种三维存储器集成电路，其特征在于含有一嵌入式处理器区域(0EP)和一嵌入 式存储器区域(0EM)，并含有紧邻的第一和第二互连线层(IL3，IL4)，其中：

1)所述嵌入式处理器区域内含有多个通道孔(38)，所述通道孔对所述 第一和第二互连线层提供双向电连接；

2)所述嵌入式存储器区域上含有多个三维存储器(3D-M)膜(36)，所 述3D-M膜为所述第一和第二互连线层提供单向电连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器集成电路，其特征还在于：所述第一或第二 互连线层中至少有一层为混合型互连线层(ILx)，该混合型互连线层在所述嵌入 式处理器区域含有第一导线(30L)，在所述嵌入式存储器区域含有第二导线 (30M)，所述第一和第二导线含有不同导体材料。

3.根据权利要求2所述的三维存储器集成电路，其特征还在于：所述第一导线(30L) 与该通道孔(38)相接触；所述第二导线(30M)与该3D-M膜(36)接触。