[发明专利]半导体集成电路、以及信号传输电路无效
| 申请号： | 200810182658.3 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101425801A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 伊藤稔;志村秀吉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在硅-绝缘体结构的硅衬底上的金属绝缘半导体晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 以及 信号 传输 电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，由形成在硅-绝缘体结构的硅衬底上的金属绝缘半导体晶体管构成，包括：电路块，具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构成的电位组；多个电源布线，对所述电位组所包含的各个电位提供电压；电源控制单元，分别对所述多个电源布线产生电压；以及控制器，决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示所述电源控制单元产生所决定的值的电压，其中，所述控制器对所述电位组的电位进行调整，以使所述电路块的开关电压成为规定的值。
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