[发明专利]半导体集成电路、以及信号传输电路无效

专利信息
申请号: 200810182658.3 申请日: 2006-02-17
公开(公告)号: CN101425801A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 伊藤稔;志村秀吉 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00;H01L27/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邸万奎
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路 以及 信号 传输 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路,由形成在硅-绝缘体结构的硅衬底上的金属绝 缘半导体晶体管构成,包括:

电路块,具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝 缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构 成的电位组;

多个电源布线,对所述电位组所包含的各个电位提供电压;

电源控制单元,分别对所述多个电源布线产生电压;以及

控制器,决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值,并指示所述电 源控制单元产生所决定的值的电压,其中,

所述电路块被配备多个,

所述控制器对所述多个电路块的电位组的高电位端电位和低电位端电 位,以每个电路块为单位设定不同的值,并将开关电压设定在规定的范围内 以使其在所述多个电路块各自之间大体上一致,并且控制所述电位组的电位, 以使在所述多个电路块间发送端电路的输出信号的高电平高于从接收端电路 的高电位端电位下降了与P沟道金属绝缘半导体晶体管的阈值电压相应量的 电位,而且使发送端电路的输出信号的低电平低于从接收端电路的低电位端 电位上升了与N沟道金属绝缘半导体晶体管的阈值电压相应量的电位。

2.一种半导体集成电路,由形成在硅-绝缘体结构的硅衬底上的金属绝 缘半导体晶体管构成,包括:

电路块,具有至少两组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝 缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构 成的电位组;

多个电源布线,对所述电位组所包含的各个电位提供电压;

电源控制单元,分别对所述多个电源布线产生电压;以及

控制器,决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值,并指示所述电 源控制单元产生所决定的值的电压,其中,

所述电路块包括多个电路,

所述控制器对所述多个电路的电位组的高电位端电位和低电位端电位, 以每个电路为单位设定不同的值,并将开关电压设定在规定的范围内以使其 在所述多个电路块内的所述多个电路各自之间大体上一致,并且控制所述电 位组的电位,以使在所述多个电路间发送端电路的输出信号的高电平高于从 接收端电路的高电位端电位下降了与P沟道金属绝缘半导体晶体管的阈值电 压相应量的电位,而且使发送端电路的输出信号的低电平低于从接收端电路 的低电位端电位上升了与N沟道金属绝缘半导体晶体管的阈值电压相应量的 电位。

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