[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200810181721.1 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101471262A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郑冲耕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。其中一种方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅电极；在包括栅电极的半导体衬底上依次形成第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；干法蚀刻第二氧化物层；湿法蚀刻氮化物层；以及通过将离子注入其上形成有第一氧化物层的半导体衬底中以形成源极区和漏极区。根据该方法，在于半导体衬底中形成栅极间隔件的工艺中，在源极区和漏极区上存留栅极间隔件的氧化物层，然后实施离子注入工艺，从而可以抑制在源极区和漏极区中发生等离子体损坏和漏电。这样，可以提高CMOS图像传感器的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅电极；在其上形成有该栅电极的该半导体衬底上依次形成第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；干法蚀刻该第二氧化物层；湿法蚀刻该氮化物层；以及在湿法蚀刻该氮化物层之后，经由存留在该半导体衬底上的该第一氧化物层而将离子注入该半导体衬底中，以在该栅电极的侧边形成源极区和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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