[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：

在半导体衬底上形成栅电极；

在其上形成有该栅电极的该半导体衬底上依次形成第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；

干法蚀刻该第二氧化物层；

湿法蚀刻该氮化物层；以及

在湿法蚀刻该氮化物层之后，经由存留在该半导体衬底上的该第一氧化物层而将离子注入该半导体衬底中，以在该栅电极的侧边形成源极区和漏极区。

2.如权利要求1所述的方法，其中在干法蚀刻该第二氧化物层期间，该第二氧化物层存留在该栅电极的侧壁上。

3.如权利要求1所述的方法，其中在湿法蚀刻该氮化物层期间，在干法蚀刻该第二氧化物层的存留物之后，位于该第二氧化物层下的该氮化物层被存留。

4.如权利要求1所述的方法，其中湿法蚀刻该氮化物层的步骤包括使用H₃PO₄。

5.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在湿法蚀刻该氮化物层之后，通过使用NC-2溶液对该半导体衬底实施清洗工艺，其中该NC-2溶液为TMH:H₂O₂:H₂O＝1:2～5:20～40。

6.如权利要求1所述的方法，其中干法蚀刻该第二氧化物层的步骤包括过蚀刻该氮化物层。

7.如权利要求6所述的方法，其中对该氮化物层进行过蚀刻以使其具有约至约的厚度。

8.如权利要求1所述的方法，其中湿法蚀刻该氮化物层的步骤包括过蚀刻该第一氧化物层。

9.如权利要求8所述的方法，其中对该第一氧化物层进行过蚀刻以使其具有约至约的厚度。

10.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在形成该源极区和该漏极区之后：

移除存留在该半导体衬底上的该第一氧化物层；以及

在该源极区和该漏极区的上表面以及该栅电极的上表面上形成硅化物图案。

11.如权利要求1所述的方法，其中在湿法蚀刻该氮化物层期间，以20～40:1的比率，该氮化物层具有比该氧化物层更高的蚀刻选择性。

12.一种半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：

在半导体衬底上形成栅电极；

在其上形成有该栅电极的该半导体衬底上形成绝缘层；

蚀刻该绝缘层，使得部分该绝缘层存留在位于该栅电极侧边的该半导体衬底上和存留在该栅电极的侧壁上这两处；

经由存留在位于该栅电极侧边的该半导体衬底上的部分该绝缘层而将离子注入该半导体衬底中，以在该栅电极的两侧形成源极区和漏极区；以及

移除存留在位于该栅电极侧边的该半导体衬底上的部分该绝缘层。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成该绝缘层的步骤包括：

在该半导体衬底上形成第一氧化物层，使得该第一氧化物层覆盖该栅电极；

在该第一氧化物层上形成氮化物层；以及

在该氮化物层上形成第二氧化物层。

14.如权利要求12所述的方法，其中存留在位于该栅电极侧边的该半导体衬底上的部分该绝缘层包括第一氧化物层。

15.如权利要求12所述的方法，其中存留在该栅电极侧壁上的部分该绝缘层包括第一氧化物层、氮化物层以及第二氧化物层。

16.如权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：在移除存留在位于该栅电极侧边的该半导体衬底上的部分该绝缘层之后：

硅化该栅电极的上表面和该源极区和该漏极区的表面。

17.如权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：在移除存留在位于该栅电极侧边的该半导体衬底上的部分该绝缘层之后：

对该源极区和该漏极区实施高浓度离子注入工艺。

18.如权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：在该半导体衬底上形成该栅电极之后：

将低浓度杂质注入位于该栅电极侧边的该半导体衬底中。