[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

通常，图像传感器是一种用于将光学图像转换成电信号的半导体器件。典型地，将图像传感器分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器或CMOS图像传感器，其中CCD图像传感器中的每个金属氧化物半导体(MOS)电容器以彼此接近的方式放置，从而使电荷载流子存储在电容器中或从电容器释放；其中CMOS图像传感器使用切换模式以连续地检测输出，所述检测输出是通过使用CMOS技术提供对应于像素数量的MOS晶体管得以执行，所述CMOS技术使用了诸如控制电路和信号处理电路等的外围器件。

CCD图像传感器需要高功率消耗，以获得可允许的电荷迁移效率。此外，由于CCD图像传感器需要附加的支持电路，用于调整图像信号或产生标准视频输出，因此CCD图像传感器可能不能被高度集成。为了解决上述问题，最近提出将CMOS图像传感器作为CCD图像传感器的替代品。

与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器具有相对简单的结构。此外，CMOS图像传感器使用高度发展的CMOS制造工艺，使得CMOS图像传感器可被高度集成，并且可以降低功率消耗。通常，CMOS图像传感器的像素可以包括光电二极管以及一个或多个场效应管(FETs)(在下文中称作晶体管)，其中光电二极管是一种光电探测器，场效应管用于发射和输出存储在光电二极管中的电荷。

在用于驱动现有的CMOS图像传感器的晶体管中，当直接将高浓度的杂质注入半导体衬底中以形成用于晶体管的源极区和漏极区时，可能会在半导体衬底中发生表面缺陷。

上述表面缺陷可能会造成电子-空穴对(EHPs)的产生。因此，尽管光线不从外部射入，仍然可能会产生暗电流，并且可能会使图像传感器异常运行，从而造成图像传感器的缺陷。

发明内容

本发明的实施例为了解决现有技术的问题而提供了一种半导体器件的制造方法。

本发明的一个实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在该方法中，当形成半导体器件的栅极间隔件时，通过在实施干法和湿法蚀刻工艺之后形成存留氧化物层，可以抑制等离子体的损坏和漏电的发生。

根据实施例的半导体器件的制造方法可以包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅电极；在其上形成有该栅电极的该半导体衬底上依次形成第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；干法蚀刻该第二氧化物层；湿法蚀刻该氮化物层；以及通过将离子注入其上存留有该第一氧化物层的该半导体衬底中，以在该栅电极的两侧形成源极区和漏极区。

在另一实施例中，半导体器件的制造方法可以包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅电极；在其上形成有该栅电极的该半导体衬底上依次形成绝缘层；蚀刻该绝缘层，使得部分该绝缘层存留在该栅电极两侧的该半导体衬底上和存留在该栅电极的侧壁上；经由存留在该半导体衬底上的部分该绝缘层而将离子注入该半导体衬底中，以在该栅电极的两侧形成源极区和漏极区；以及移除存留的绝缘层。

根据实施例，当在半导体器件中形成栅极间隔件时，使所形成的氧化物层存留在源极区和漏极区上，以抑制在离子注入工艺期间发生等离子体损坏和漏电，从而提高CMOS图像传感器的器件特性。

此外，根据实施例，可以抑制图像传感器的驱动晶体管发生漏电，从而提高图像传感器的特性。

附图说明

图1至图6示出了根据实施例的半导体器件的制造方法的步骤的剖视图。

具体实施方式

下文将结合随附附图详细描述根据实施例的半导体器件的制造方法。将附图所示的元件大小(尺寸)放大以便清楚地描述本发明，并且元件的实际尺寸可以不同于附图所示的元件尺寸。此外，本发明可以不包括附图示出的所有元件，并且不以此为限。除了本发明必要的元件以外，可以不加限制地省略或增加其他元件。

在描述实施例时，当某层(或膜)提到在其他层或衬底“上/上方/其上/上面”时，可以理解为该层(或膜)可以直接位于其他层或衬底上，或者也可以存在中间的层。此外，当某层提到在其他层“下/下方/其下/下面”时，可以理解为该层可以直接位于其他层下，或者也可以存在一层或多层的中间层。此外，当某层提到在两层“之间”时，可以理解为该层可以直接位于所述的两层之间，或者也可以存在一层或多层的中间层。因此，上述各层的具体含义必须基于实施例的保护范围而确定。

为了使本发明的主要目的明确，在本发明以下描述中省略了对并入本发明的公知特性和配置的详细描述。

图1至图6示出了根据实施例的半导体器件的制造方法的剖视图。

根据实施例的半导体器件包括用于CMOS图像传感器的晶体管。