[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200810180954.X | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101465282A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李基领;卜喆圭;潘槿道;许仲君 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在具有底层结构的半导体基板上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上形成第一掩模图案；在包括第一掩模图案的蚀刻目标层上形成具有均一厚度的间隔物材料层；在间隔物材料层的凹口区域上形成第二掩模图案；以及用第一掩模图案和第二掩模图案作为蚀刻掩模，对蚀刻目标层进行蚀刻，以形成精细图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在具有底层结构的半导体基板上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括第一部分和第二部分；在所述蚀刻目标层和所述第一掩模图案上形成具有大致均一厚度的间隔物材料层，所述间隔物材料层在所述第一掩模图案的第一部分和第二部分之间限定凹口区域；在所述间隔物材料层所限定的所述凹口区域中形成第二掩模图案；以及使用所述第一掩模图案和所述第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标层，以形成具有期望图案的蚀刻目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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