[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板上依次形成蚀刻目标层、第一硬掩模材料层、第 一分隔物材料层、以及第二硬掩模材料层；

选择性地蚀刻所述第二硬掩模材料层以形成第二硬掩模图案；

使用所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一分隔物 材料层，以形成第一分隔物，所述第一分隔物包括第一部分和第二部 分；

在所述第一硬掩模材料层和所述第一分隔物上形成间隔物材料 层和第二分隔物材料层；

局部蚀刻所述间隔物材料层和所述第二分隔物材料层直到露出 所述第一分隔物材料层的第一部分和第二部分，从而部分地露出所述 间隔物材料层并形成第二分隔物，所述第二分隔物位于所述第一分隔 物的第一部分和第二部分之间；

使用所述第一分隔物和所述第二分隔物的露出部分作为蚀刻掩 模来蚀刻所述间隔物材料层和所述第一硬掩模材料层，以形成第一硬 掩模图案；以及

使用所述第一硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标 层，以形成具有期望图案的蚀刻目标层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一分隔物的节距是所述期望图案的节距的两倍，所述方 法还包括：

在所述第二硬掩模材料层上形成氮氧化硅膜。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述氮氧化硅膜上形成底部抗反射涂层(BARC)膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第二硬掩模材料层包括非晶碳。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一硬掩模材料层和所述间隔物材料层包括相同的材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

形成所述第一分隔物的步骤还包括：将所述第一硬掩模材料层 蚀刻为使得所述第二分隔物的高度与所述第一分隔物的高度大致相 同。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，

所述第一硬掩模材料层和所述间隔物材料层包括TEOS。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一分隔物材料层和所述第二分隔物材料层包括相同的材 料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第一分隔物材料层和所述第二分隔物材料层包括多晶硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第二分隔物材料层形成有均一的厚度，所述第二分隔物是 通过局部蚀刻第二分隔物材料层的预定深度而形成的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

对所述间隔物材料层和所述第二分隔物材料层进行局部蚀刻的 步骤是采用干式回蚀工序、湿式蚀刻工序或CMP工序进行的。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

当所述第二分隔物材料层形成有大致平坦的表面时，所述第一 分隔物和所述第二分隔物具有大致相同的节距。

13.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在具有底层结构的半导体基板上形成蚀刻目标层；

在所述蚀刻目标层上形成第一掩模材料层，并选择性地蚀刻所 述第一掩模材料层以形成包括多个接垫图案和多个线图案的第一掩 模图案；

在所述第一掩模图案和所述蚀刻目标层上形成间隔物材料层；

形成包括线图案的第二掩模图案，所述线图案形成在所述第一 掩模图案的线图案之间；

在用于使所述第二掩模图案的线图案与所述第一掩模图案的接 垫图案的一部分互连的区域上形成第三掩模图案；以及

使用所述第一掩模图案、所述第二掩模图案以及所述第三掩模 图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标层，以形成经图案化的蚀刻目 标层。