[发明专利]光电转换装置的制造方法

摘要

本发明提供一种光电转换装置的制造方法。本发明的要旨在于：在离单晶半导体衬底的一表面有小于1000nm的深度的领域中形成脆弱层，且在其一表面上形成第一杂质半导体层、第一电极。在将第一电极和支撑衬底贴合之后，以脆弱层或其附近为分离面分离单晶半导体衬底，来在支撑衬底上形成第一单晶半导体层。在第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，并进行热处理，使非晶半导体层固相外延生长来形成第二单晶半导体层。第二杂质半导体层具有与第一杂质半导体层相反的导电型，在第二单晶半导体层上形成第二电极。

主权项

1. 一种光电转换装置的制造方法，包括如下步骤：设置单晶半导体衬底，其中所述单晶半导体衬底包括离其一表面有小于1000nm的深度的领域中的脆弱层和所述一表面上的第一杂质半导体层，并且在所述一表面上所述单晶半导体衬底设置有第一电极；将所述第一电极和支撑衬底贴合；以所述脆弱层或所述脆弱层附近为分离面分离所述单晶半导体衬底，来在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层；在所述第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，其中所述第一单晶半导体层位于所述非晶半导体层和所述第一电极之间；进行热处理，以使所述非晶半导体层固相外延生长来形成第二单晶半导体层；在所述第二单晶半导体层的一表面上形成与所述第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；以及在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。