[发明专利]光电转换装置的制造方法有效
申请号: | 200810179634.2 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101447526A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 井坂史人;加藤翔;大力浩二 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
1.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:
设置单晶半导体衬底,其中所述单晶半导体衬底包括离其一表面 有小于1000nm的深度的领域中的脆弱层和所述一表面侧上的第一杂 质半导体层,并且在所述一表面侧上所述单晶半导体衬底设置有第一 电极;
将所述第一电极和支撑衬底贴合;
以所述脆弱层或所述脆弱层附近为分离面分离所述单晶半导体 衬底,来在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层;
在所述第一单晶半导体层上形成非晶半导体层,其中所述第一单 晶半导体层位于所述非晶半导体层和所述第一电极之间;
进行热处理,以使所述非晶半导体层固相外延生长来形成第二单 晶半导体层;
在所述第二单晶半导体层的一表面侧上形成与所述第一杂质半 导体层相反的导电型的第二杂质半导体层;以及
在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中在所述 第一电极上形成绝缘层,并中间夹着所述绝缘层将所述第一电极和所 述支撑衬底贴合。
3.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中通过将 由包含氢的原料气体产生的离子照射到所述单晶半导体衬底来形成 所述脆弱层。
4.根据权利要求3所述的光电转换装置的制造方法,其中不对产 生了的离子进行质量分离而使用电压对所述离子进行加速,而将所述 离子照射到所述单晶半导体衬底。
5.根据权利要求3所述的光电转换装置的制造方法,其中在所述 离子中使H3+离子在照射的所述离子的总量中所占的比例为高。
6.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中所述 第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的总厚度为800nm以上。
7.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,
其中通过使用p型的单晶半导体衬底作为所述单晶半导体衬底来 形成p型的所述第一单晶半导体层,以及
并且通过使用本征半导体作为所述非晶半导体层来形成本征的 所述第二单晶半导体层。
8.根据权利要求7所述的光电转换装置的制造方法,其中所述第 一杂质半导体层为p型而所述第二杂质半导体层为n型。
9.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中对所述 单晶半导体衬底添加赋予一导电型的杂质元素以在所述单晶半导体 衬底的所述一表面侧上形成所述第一杂质半导体层。
10.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:
设置单晶半导体衬底,其中所述单晶半导体衬底包括离其一表面 有小于1000nm的深度的领域中的脆弱层和所述一表面侧上的第一杂 质半导体层,并且在所述一表面侧上所述单晶半导体衬底设置有第一 电极;
将所述第一电极和支撑衬底贴合;
以所述脆弱层或所述脆弱层附近为分离面分离所述单晶半导体 衬底,来在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层;
在所述第一单晶半导体层上形成第一非晶半导体层,其中所述第 一单晶半导体层位于所述第一非晶半导体层和所述第一电极之间;
在所述第一非晶半导体层上形成与所述第一杂质半导体层相反 的导电型的第二非晶半导体层;
进行热处理,以使所述第一非晶半导体层和所述第二非晶半导体 层固相外延生长来形成第二单晶半导体层和第二杂质半导体层;以及
在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。
11.根据权利要求10所述的光电转换装置的制造方法,其中在所 述第一电极上形成绝缘层,并中间夹着所述绝缘层将所述第一电极和 所述支撑衬底贴合。
12.根据权利要求10所述的光电转换装置的制造方法,其中通过 将由包含氢的原料气体产生的离子照射到所述单晶半导体衬底来形 成所述脆弱层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的