[发明专利]光电转换装置的制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置的制造方法，包括如下步骤：

设置单晶半导体衬底，其中所述单晶半导体衬底包括离其一表面 有小于1000nm的深度的领域中的脆弱层和所述一表面侧上的第一杂 质半导体层，并且在所述一表面侧上所述单晶半导体衬底设置有第一 电极；

将所述第一电极和支撑衬底贴合；

以所述脆弱层或所述脆弱层附近为分离面分离所述单晶半导体 衬底，来在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层；

在所述第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，其中所述第一单 晶半导体层位于所述非晶半导体层和所述第一电极之间；

进行热处理，以使所述非晶半导体层固相外延生长来形成第二单 晶半导体层；

在所述第二单晶半导体层的一表面侧上形成与所述第一杂质半 导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；以及

在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中在所述 第一电极上形成绝缘层，并中间夹着所述绝缘层将所述第一电极和所 述支撑衬底贴合。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中通过将 由包含氢的原料气体产生的离子照射到所述单晶半导体衬底来形成 所述脆弱层。

4.根据权利要求3所述的光电转换装置的制造方法，其中不对产 生了的离子进行质量分离而使用电压对所述离子进行加速，而将所述 离子照射到所述单晶半导体衬底。

5.根据权利要求3所述的光电转换装置的制造方法，其中在所述 离子中使H₃⁺离子在照射的所述离子的总量中所占的比例为高。

6.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中所述 第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的总厚度为800nm以上。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，

其中通过使用p型的单晶半导体衬底作为所述单晶半导体衬底来 形成p型的所述第一单晶半导体层，以及

并且通过使用本征半导体作为所述非晶半导体层来形成本征的 所述第二单晶半导体层。

8.根据权利要求7所述的光电转换装置的制造方法，其中所述第 一杂质半导体层为p型而所述第二杂质半导体层为n型。

9.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中对所述 单晶半导体衬底添加赋予一导电型的杂质元素以在所述单晶半导体 衬底的所述一表面侧上形成所述第一杂质半导体层。

10.一种光电转换装置的制造方法，包括如下步骤：

设置单晶半导体衬底，其中所述单晶半导体衬底包括离其一表面 有小于1000nm的深度的领域中的脆弱层和所述一表面侧上的第一杂 质半导体层，并且在所述一表面侧上所述单晶半导体衬底设置有第一 电极；

将所述第一电极和支撑衬底贴合；

以所述脆弱层或所述脆弱层附近为分离面分离所述单晶半导体 衬底，来在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层；

在所述第一单晶半导体层上形成第一非晶半导体层，其中所述第 一单晶半导体层位于所述第一非晶半导体层和所述第一电极之间；

在所述第一非晶半导体层上形成与所述第一杂质半导体层相反 的导电型的第二非晶半导体层；

进行热处理，以使所述第一非晶半导体层和所述第二非晶半导体 层固相外延生长来形成第二单晶半导体层和第二杂质半导体层；以及

在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。

11.根据权利要求10所述的光电转换装置的制造方法，其中在所 述第一电极上形成绝缘层，并中间夹着所述绝缘层将所述第一电极和 所述支撑衬底贴合。

12.根据权利要求10所述的光电转换装置的制造方法，其中通过 将由包含氢的原料气体产生的离子照射到所述单晶半导体衬底来形 成所述脆弱层。