[发明专利]光电转换装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810179634.2 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101447526A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 井坂史人;加藤翔;大力浩二 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;李家麟
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:

设置单晶半导体衬底,其中所述单晶半导体衬底包括离其一表面 有小于1000nm的深度的领域中的脆弱层和所述一表面侧上的第一杂 质半导体层,并且在所述一表面侧上所述单晶半导体衬底设置有第一 电极;

将所述第一电极和支撑衬底贴合;

以所述脆弱层或所述脆弱层附近为分离面分离所述单晶半导体 衬底,来在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层;

在所述第一单晶半导体层上形成非晶半导体层,其中所述第一单 晶半导体层位于所述非晶半导体层和所述第一电极之间;

进行热处理,以使所述非晶半导体层固相外延生长来形成第二单 晶半导体层;

在所述第二单晶半导体层的一表面侧上形成与所述第一杂质半 导体层相反的导电型的第二杂质半导体层;以及

在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中在所述 第一电极上形成绝缘层,并中间夹着所述绝缘层将所述第一电极和所 述支撑衬底贴合。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中通过将 由包含氢的原料气体产生的离子照射到所述单晶半导体衬底来形成 所述脆弱层。

4.根据权利要求3所述的光电转换装置的制造方法,其中不对产 生了的离子进行质量分离而使用电压对所述离子进行加速,而将所述 离子照射到所述单晶半导体衬底。

5.根据权利要求3所述的光电转换装置的制造方法,其中在所述 离子中使H3+离子在照射的所述离子的总量中所占的比例为高。

6.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中所述 第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层的总厚度为800nm以上。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,

其中通过使用p型的单晶半导体衬底作为所述单晶半导体衬底来 形成p型的所述第一单晶半导体层,以及

并且通过使用本征半导体作为所述非晶半导体层来形成本征的 所述第二单晶半导体层。

8.根据权利要求7所述的光电转换装置的制造方法,其中所述第 一杂质半导体层为p型而所述第二杂质半导体层为n型。

9.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法,其中对所述 单晶半导体衬底添加赋予一导电型的杂质元素以在所述单晶半导体 衬底的所述一表面侧上形成所述第一杂质半导体层。

10.一种光电转换装置的制造方法,包括如下步骤:

设置单晶半导体衬底,其中所述单晶半导体衬底包括离其一表面 有小于1000nm的深度的领域中的脆弱层和所述一表面侧上的第一杂 质半导体层,并且在所述一表面侧上所述单晶半导体衬底设置有第一 电极;

将所述第一电极和支撑衬底贴合;

以所述脆弱层或所述脆弱层附近为分离面分离所述单晶半导体 衬底,来在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层;

在所述第一单晶半导体层上形成第一非晶半导体层,其中所述第 一单晶半导体层位于所述第一非晶半导体层和所述第一电极之间;

在所述第一非晶半导体层上形成与所述第一杂质半导体层相反 的导电型的第二非晶半导体层;

进行热处理,以使所述第一非晶半导体层和所述第二非晶半导体 层固相外延生长来形成第二单晶半导体层和第二杂质半导体层;以及

在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。

11.根据权利要求10所述的光电转换装置的制造方法,其中在所 述第一电极上形成绝缘层,并中间夹着所述绝缘层将所述第一电极和 所述支撑衬底贴合。

12.根据权利要求10所述的光电转换装置的制造方法,其中通过 将由包含氢的原料气体产生的离子照射到所述单晶半导体衬底来形 成所述脆弱层。

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