[发明专利]半导体器件的测试图样及其制造方法无效
| 申请号： | 200810178477.3 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101471239A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 朴燦浒 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造用于半导体器件的测试图样的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成槽掩膜图样，该槽掩膜图样包括被图样化成梳状的多个槽线；以及刻蚀由槽掩膜图样暴露的部分半导体衬底以形成沟槽。该方法进一步包括：用绝缘材料来间隙填充沟槽以形成场隔离物；平坦化在其上形成有场隔离物的半导体衬底；以及在经过平坦化的半导体衬底上形成多晶硅梳状图样。形成多晶硅梳状图样以便槽线布置在多晶硅梳状图样的线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 图样 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造用于半导体器件的测试图样的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成槽掩膜图样，所述槽掩膜图样包括被图样化成梳状的多个槽线；刻蚀由所述槽掩膜图样暴露的部分所述半导体衬底以形成沟槽；用绝缘材料来间隙填充所述沟槽以形成场隔离物；平坦化所述半导体衬底，其中所述半导体衬底具有形成在其上的所述场隔离物；以及在所述平坦化的半导体衬底上形成多晶硅梳状图样，其中，所述槽线布置在所述多晶硅梳状图样的线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
