[发明专利]薄膜晶体管基板、具有其的液晶显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810177818.5 申请日: 2008-12-01
公开(公告)号: CN101452941A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 严允成;柳在镇;刘惠兰;朴乘范;金勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;G02F1/136;G02F1/1362
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管基板、具有这种薄膜晶体管基板的液晶显示器及其制造方法。在这种薄膜晶体管中,第一和第二薄膜晶体管连接到第N条栅线和第M条数据线,并且第一和第二子像素电极分别连接到第一和第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括连接到第N+1条栅线的栅电极、与栅电极交叠的半导体层、连接到第二子像素电极并与栅电极部分地交叠的源电极以及面向源电极的漏电极。第一辅助电极连接到漏电极,并配置在与第一和第二子像素电极相同的层上。对电极配置在与栅线相同的层上,并与第一辅助电极至少部分地交叠,至少一个绝缘层设置在对电极与第一辅助电极之间。
搜索关键词: 薄膜晶体管 具有 液晶显示器 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种薄膜晶体管基板,包括:连接到第N条栅线和第M条数据线的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;分别连接到所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一子像素电极和第二子像素电极;第三薄膜晶体管,包括连接到第N+1条栅线的栅电极、与所述栅电极交叠的半导体层、连接到所述第二子像素电极并与所述栅电极部分地交叠的源电极以及面向所述源电极的漏电极;第一辅助电极,连接到所述漏电极,并且配置在与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极相同的层上;以及对电极,配置在与所述栅线相同的层上,并且与所述第一辅助电极至少部分地交叠,至少一个绝缘层设置在所述对电极与所述第一辅助电极之间。
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