[发明专利]薄膜晶体管基板、具有其的液晶显示器及其制造方法有效
| 申请号: | 200810177818.5 | 申请日: | 2008-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN101452941A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
| 发明(设计)人: | 严允成;柳在镇;刘惠兰;朴乘范;金勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;G02F1/136;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管基板、具有这种薄膜晶体管基板的液晶显示器及其制造方法。在这种薄膜晶体管中,第一和第二薄膜晶体管连接到第N条栅线和第M条数据线,并且第一和第二子像素电极分别连接到第一和第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括连接到第N+1条栅线的栅电极、与栅电极交叠的半导体层、连接到第二子像素电极并与栅电极部分地交叠的源电极以及面向源电极的漏电极。第一辅助电极连接到漏电极,并配置在与第一和第二子像素电极相同的层上。对电极配置在与栅线相同的层上,并与第一辅助电极至少部分地交叠,至少一个绝缘层设置在对电极与第一辅助电极之间。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 具有 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种薄膜晶体管基板,包括:连接到第N条栅线和第M条数据线的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;分别连接到所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一子像素电极和第二子像素电极;第三薄膜晶体管,包括连接到第N+1条栅线的栅电极、与所述栅电极交叠的半导体层、连接到所述第二子像素电极并与所述栅电极部分地交叠的源电极以及面向所述源电极的漏电极;第一辅助电极,连接到所述漏电极,并且配置在与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极相同的层上;以及对电极,配置在与所述栅线相同的层上,并且与所述第一辅助电极至少部分地交叠,至少一个绝缘层设置在所述对电极与所述第一辅助电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





