[发明专利]薄膜晶体管基板、具有其的液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

连接到第N条栅线和第M条数据线的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体 管；

分别连接到所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一子像素 电极和第二子像素电极；

第三薄膜晶体管，包括连接到第N+1条栅线的栅电极、与所述栅电极 交叠的半导体层、连接到所述第二子像素电极并与所述栅电极部分地交叠的 源电极以及面向所述源电极的漏电极；

第一辅助电极，连接到所述漏电极，并且配置在与所述第一子像素电极 和所述第二子像素电极相同的层上；以及

对电极，配置在与所述栅线相同的层上，并且与所述第一辅助电极至少 部分地交叠，至少一个绝缘层设置在所述对电极与所述第一辅助电极之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述对电极连接到存储 线。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述漏电极延伸以与所 述第一子像素电极交叠，至少一个绝缘层设置在所述漏电极与所述第一子像 素电极之间。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，进一步包括：

第二辅助电极，连接到所述漏电极并与所述第一子像素电极至少部分地 交叠，至少一个绝缘层设置在所述第二辅助电极与所述第一子像素电极之 间，以及

其中所述第二辅助电极配置在与所述栅线实质上相同的层上。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述至少一个绝缘层是 双层，所述双层包括无机层和有机层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中除了沟道区中之外，所 述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管使得所述半 导体层与所述源电极和所述漏电极交叠。

7.一种薄膜晶体管基板，包括：

连接到第N条栅线和第M条数据线的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体 管；

分别连接到所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的第一子像素 电极和第二子像素电极；

第三薄膜晶体管，包括连接到第N+1条栅线的栅电极、与所述栅电极 交叠的半导体层、连接到所述第二子像素电极并与所述栅电极部分地交叠的 源电极以及面向所述源电极的漏电极；

第一辅助电极，连接到所述漏电极，并且配置在与所述第一子像素电极 和所述第二子像素电极相同的层上；以及

第二辅助电极，配置在与所述栅线相同的层上，并且与所述第一子像素 电极至少部分地交叠，至少一个绝缘层设置在所述第二辅助电极与所述第一 子像素电极之间，所述第二辅助电极连接到所述漏电极。

8.根据权利要求7所示的薄膜晶体管基板，进一步包括对电极，其中所 述第一辅助电极与所述对电极至少部分地交叠，所述对电极配置在与所述栅 线相同的层上，至少一个绝缘层设置在所述第一辅助电极与所述对电极之 间。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中所述至少一个绝缘层是 双层，所述双层包括无机层和有机层。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中除了沟道区中之外， 所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管使得所述 半导体层与所述源电极和所述漏电极交叠。