[发明专利]薄膜晶体管基板、具有其的液晶显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及一种薄膜晶体管基板、具有这种薄膜晶体管基板的液 晶显示器及其制造方法。更具体地，本发明涉及具有改进的侧面可见度(side visibility)的一种薄膜晶体管基板、具有这种薄膜晶体管基板的液晶显示器 及其制造方法。

背景技术

诸如移动电话、电视以及膝上型计算机等多种电子装置都包括用于显现 图像的显示器。近来，平板显示器由于其紧凑且纤薄的尺寸而得到广泛应用。

液晶显示(LCD)器是一种广泛应用的平面显示器，其包括两个基板以 及位于两个基板之间的液晶层，所述两个基板具有诸如像素电极和公共电极 这样用于产生电场的电极。在LCD工业领域中，宽视角技术得到发展，以 克服LCD侧面可见度的局限性，例如图像失真。

典型的宽视角技术采用垂直对准(VA)模式。在VA模式中，宽视角可 以通过采用边缘电场使得液晶分子被对称地驱动而获得，所述边缘电场是由 配置在公共电极和像素电极上的缝隙或突出物而产生的。

为了提高侧面可见度，一个像素电极可以分成两个不同的子像素电极， 其接收具有不同灰度的电压。近来的研究集中在减少制造工艺中的步骤数 量。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其具有改进的侧面可见度以 及简化的制造工艺。

本发明的附加特征将在以下的描述中阐明，其中的一部分可以从描述中 显而易见，或者可以通过本发明的实践而获得。

本发明公开了一种薄膜晶体管基板，其包括第一、第二和第三薄膜晶体 管，第一和第二子像素电极，第一辅助电极以及对电极。第一和第二薄膜晶 体管连接到第N条栅线和第M条数据线，并且第一和第二子像素电极分别 连接到第一和第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括连接到第N+1条栅线的 栅电极、与栅电极交叠的半导体层、连接到第二子像素电极并与栅电极部分 地交叠的源电极以及面向源电极的漏电极。第一辅助电极连接到漏电极，并 且配置在与第一和第二子像素电极相同的层上。对电极配置在与栅线相同的 层上，并且与第一辅助电极至少部分地交叠，至少一个绝缘层设置在对电极 与第一辅助电极之间。

本发明还公开了一种薄膜晶体管基板，其包括第一、第二和第三薄膜晶 体管，第一和第二子像素电极以及第一和第二辅助电极。第一和第二薄膜晶 体管连接到第N条栅线和第M条数据线，并且第一和第二子像素电极分别 连接到第一和第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括连接到第N+1条栅线的 栅电极、与栅电极交叠的半导体层、电连接到第二子像素电极并与栅电极部 分地交叠的源电极以及面向源电极的漏电极。第一辅助电极连接到漏电极， 并且配置在与第一和第二子像素电极相同的层上，以及第二辅助电极配置在 与栅线相同的层上，并且与第一子像素电极至少部分地交叠，至少一个绝缘 层设置在第二辅助电极与第一子像素电极之间。

本发明也公开了一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括通过第一掩模工 艺形成栅极图案，在栅极图案上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成掺杂非晶 硅层，通过第二掩模工艺形成数据图案，通过第三掩模工艺形成至少一个保 护层，以及通过第四掩模工艺形成第一子像素电极、第二子像素电极以及第 一辅助电极。栅极图案包括栅线、第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极、 存储线以及对电极，并且数据图案包括数据线、第一源电极、第二源电极和 第三源电极、第一漏电极、第二漏电极以及第三漏电极。第一辅助电极与对 电极至少部分地交叠，并且栅绝缘层和至少一个保护层位于第一辅助电极与 对电极之间。

应当理解以上的概要描述和以下的详细描述都是示范性和解释性的，并 且是用来为所要求保护的本发明提供进一步的说明。

附图说明

本申请包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被合并到本说 明书中且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式，并且与描述 一起用于解释本发明的原理。

图1为示出根据本发明的一个示范性实施方式的TFT基板的第n个像素 区域的等效电路图。

图2为示出根据本发明的一个示范性实施方式的液晶显示器的像素区域 的平面图。

图3为图2的液晶显示器沿线I-I’的横截面图。

图4为示出根据本发明的另一个示范性实施方式的液晶显示器的像素区 域的平面图。

图5为图4的液晶显示器沿线I-I’的横截面图。