[发明专利]漏电流小的固体电解电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810175792.0 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101471185A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 高桥直树;西山利彦;铃木聪史;小早川龙太;信田知希 | 申请（专利权）人： | NEC东金株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/15 | 分类号： | H01G9/15;H01G9/012;H01G9/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本宫城*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的主题是“漏电流小的固体电解电容器及其制造方法”，包括如下工序：从金属构件(10)的末端部分(13)及邻接于末端部分(13)的中间部分(12)的一部分去除粗面层(10a′)；在金属构件(10)的末端部分(13)和中间部分(12)上形成阻挡层(40)；在金属构件(10)的基干部分(11)上形成由导电高分子构成的导电高分子层(30)；从金属构件(10)的末端部分(13)去除阻挡层(40′)和金属构件(10)的表层部分(13′)。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 固体 电解电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种固体电解电容器的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在具有基干部分、末端部分以及该基干部分与该末端部分之间的中间部分且由阀作用金属构成的金属构件的表面上形成粗面层；在所述粗面层的表面上形成氧化阀作用金属膜；从所述金属构件的所述末端部分以及邻接于该末端部分的所述中间部分的一部分去除所述粗面层；在所述金属构件的所述末端部分以及所述中间部分上，形成阻挡层；在所述金属构件的所述基干部分上，形成由导电高分子构成的导电高分子层；以及从所述金属构件的所述末端部分去除所述阻挡层和所述金属构件的表层部分，通过这些工序，形成由所述金属构件的所述基干部分构成的阳极；由所述导电高分子层构成的与所述阳极对向的阴极、由所述氧化阀作用金属膜构成的夹在所述阳极与所述阴极之间的电介质层以及由该金属构件的所述末端部分构成的阳极引线。
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