[发明专利]漏电流小的固体电解电容器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及固体电解电容器及其制造方法。

背景技术

近年来随着电子设备的数字化、小型化、高速化，对于电子设备 中使用的电容器，提出了小型、大容量、在高频区具有低阻抗的要求。

作为可满足上述要求的电容器，有包含导电高分子层(固体电解质 层)的固体电解电容器。

这种固体电解电容器，例如已在特许第2940059号公报(第1关联 技术文献)中公开。参照示出了与第1关联技术文献中公开的装置类似 的固体电解电容器的图1，此例固体电解电容器设有：用由阀作用金 属构成的金属构件60的基干部分61构成的阳极(61)；由形成在阳极 61的表面上的氧化阀作用金属膜构成的电介质层(未图示)；用在阳极 61上使电介质层隔在中间而形成的导电高分子层80构成的阴极(80)； 用金属构件60的末端部分63构成的阳极引线(63)。图中的标记90表 示后述的阻挡层。

导电高分子层通过将金属构件60的基干部分61浸渍在含有例如 吡咯(pyrrole)或噻吩(thiophene)等衍生物和支持电解质的单体溶液中， 用电解聚合法或化学聚合法形成。

这里，如第1关联技术文献所公开，在构成金属构件60中的阳极 61的基干部分61，与构成阳极引线63的末端部分63之间的中间部分 62上，形成带状的阻挡层90。在将金属构件60的基干部分61浸渍在 单体溶液中时，保护构件90防止单体溶液浸透至末端部分63上。之 所以防止单体溶液浸透至末端部分63，是为了防止在固体电解电容器 完成后，单体溶液所包含的导电高分子形成在阳极引线63的表面上， 在阴极80与阳极引线63之间产生漏电流。

但是，为了使阳极61与阴极80的相对面积增大来得到大容量， 金属构件60具有粗面层60a。因而，在金属构件60的中间部分62的 粗面层60a与带状的阻挡层90之间可能存在着间隙。因此，在将金属 构件60的基干部分61浸渍到单体溶液中时，单体溶液有可能会通过 该间隙浸透至金属构件60的末端部分63。

另外，在特开2000-243665号公报(第2关联技术文献)中，公开了 比第1关联技术文献中公开的技术更可靠防止单体溶液浸透的方法。 该方法是，在构成金属构件中的阳极的基干部分与构成阳极引线的末 端部分之间的中间部分的表面上形成阻止带。作为该阻止带的一例， 第2关联技术文献中提出了割断沟与阻挡层的组合，即去除金属构件 的粗面层而形成使金属构件的基部露出的割断沟，同时在该割断沟上 形成阻挡层。

但是，即使通过第2关联技术文献所公开的割断沟与阻挡层的组 合，也还是存在单体溶液通过割断沟的表面与阻挡层之间的些微间隙， 浸透至金属构件的末端部分的可能性。

另外，单体溶液也可能通过阻挡层的表面攀爬到金属构件末端部 分。在将金属构件超过其基干部分地浸渍于单体溶液中时，单体溶液 的攀爬显著发生。

假如将割断沟及阻挡层延长，单体溶液浸透或攀爬也许会变得困 难。但是，延长割断沟及阻挡层的结果是，金属构件内既不构成阳极 也不构成阳极引线的中间部分会变得很长。但是这会使固体电解电容 器无谓地大型化，即固体电解电容器的体积效率降低，并不理想。

发明内容

本发明旨在解决上述的问题，其目的在于提供漏电流小、体积效 率高的固体电解电容器及其制造方法。

依据本发明，可得到一种固体电解电容器的制造方法，其特征在 于，

包括下列工序：在由阀作用金属构成的金属构件的表面上形成粗 面层，该粗面层具有基干部分、末端部分以及该基干部分与该末端部 分之间的中间部分；在上述粗面层的表面上形成氧化阀作用金属膜； 从上述金属构件的上述末端部分和邻接于该末端部分的上述中间部分 的一部分去除上述粗面层；在上述金属构件的上述末端部分和上述中 间部分上形成阻挡层；在上述金属构件的上述基干部分上形成由导电 高分子构成的导电高分子层；以及从上述金属构件的上述末端部分去 除上述阻挡层及上述金属构件的表层部分，

通过这些工序可形成：用上述金属构件的上述基干部分构成的阳 极；用上述导电高分子层构成的与上述阳极对向的阴极；用上述氧化 阀作用金属膜构成的夹在上述阳极与上述阴极之间的电介质层；以及 由该金属构件的上述末端部分构成的阳极引线。