[发明专利]快闪存储器的制造方法

摘要

本发明涉及快闪存储器的制造方法。根据本发明的一方面，该方法包括在半导体衬底之上形成栅绝缘层、第一导电层和隔离掩模。图形化隔离掩模以暴露将要形成隔离层的区域。使用图形化的隔离掩模蚀刻第一导电层、栅绝缘层和半导体衬底以形成沟槽。衬垫氧化层形成在包括沟槽的所得结构上。用绝缘层填充其中形成有衬垫氧化层的沟槽。实施平坦化工艺和清洗工艺以在隔离层的顶部边缘部分形成覆盖栅绝缘层的翼间隔体，由此形成隔离层。

主权项

1、一种快闪存储器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅绝缘层和第一导电层；使用隔离掩模图形蚀刻该第一导电层、该栅绝缘层和该半导体衬底以形成沟槽；在包括该沟槽的该导电层上形成衬垫氧化层；用绝缘层填充其上形成有该衬垫氧化层的该沟槽；以及使用平坦化工艺和清洗工艺形成隔离层，其中除了位于该隔离层顶部边缘的覆盖该栅绝缘层的翼间隔体之外，该隔离层的顶部不高于该栅绝缘层。