[发明专利]快闪存储器的制造方法

权利要求书

1、一种快闪存储器的制造方法，该方法包括：

在半导体衬底上形成栅绝缘层和第一导电层；

使用隔离掩模图形蚀刻该第一导电层、该栅绝缘层和该半导体衬底以形成沟槽；

在包括该沟槽的该导电层上形成衬垫氧化层；

用绝缘层填充其上形成有该衬垫氧化层的该沟槽；以及

使用平坦化工艺和清洗工艺形成隔离层，

其中除了位于该隔离层顶部边缘的覆盖该栅绝缘层的翼间隔体之外，该隔离层的顶部不高于该栅绝缘层。

2、如权利要求1的方法，其中在该清洗工艺中该绝缘层比该衬垫氧化层蚀刻得快。

3、如权利要求1的方法，其中该衬垫氧化层包括选自由热氧化层、HDP层、HTO层、LPTEOS层、O₃-TEOS层，或它们中的至少两层或多层构成的组中的层。

4、如权利要求1的方法，其中：

该衬垫氧化层包括第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层的堆叠结构；

该第一衬垫氧化层形成在包括该沟槽的该导电层上；以及，

该第二衬垫氧化层形成在该第一衬垫氧化层上。

5、如权利要求4的方法，其中该第一衬垫氧化层和该第二衬垫氧化层被形成为在清洗工艺中当使用相同工艺时具有相同的蚀刻速率，或者当使用不同工艺时具有不同的蚀刻速率。

6、如权利要求2的方法，其中该绝缘层由多孔氧化物材料形成。

7、如权利要求6的方法，其中该多孔氧化物材料是旋涂玻璃氧化物材料。

8、如权利要求2的方法，其中使用HF溶液或BOE溶液执行该清洗工艺。

9、如权利要求2的方法，其中通过控制蚀刻目标执行该清洗工艺以达到该隔离层的有效场高度。

10、如权利要求1的方法，还包括，在形成该衬垫氧化层之前在包括该沟槽的该导电层上形成侧壁氧化层。

11、如权利要求10的方法，其中通过热氧化工艺形成该侧壁氧化层。

12、如权利要求11的方法，其中，在该清洗工艺中，该绝缘层比该衬垫氧化层蚀刻得快，并且该衬垫氧化层与该侧壁氧化层蚀刻得一样快或比该侧壁氧化层蚀刻得快。

13、如权利要求1的方法，进一步包括：

在隔离结构和该第一导电层之上形成第二导电层；

图形化该第二导电层以形成浮置栅极，在该浮置栅极中，该第一导电层和该第二导电层叠置；以及

在该浮置栅极和该隔离结构上形成介电层和控制栅极。

14、一种快闪存储器的制造方法，该方法包括：

在半导体衬底之上形成栅绝缘层和第一导电层；

使用隔离掩模图形蚀刻该第一导电层、该栅绝缘层和该半导体衬底以形成第一沟槽；

在该第一沟槽的侧壁上形成间隔体；

使用该间隔体蚀刻该半导体衬底的暴露部分以形成第二沟槽；

移除该间隔体；

用具有缝隙的绝缘层填充该第一沟槽和该第二沟槽；

使用蚀刻工艺形成隔离层，

其中除了位于该隔离层顶部边缘的覆盖该栅绝缘层的翼间隔体之外，该隔离层的顶部不高于该栅绝缘层。

15、如权利要求14的方法，其中每个该第一沟槽具有在隔离结构深度的1/6至1/3范围内的深度。

16、如权利要求14的方法，其中该间隔体由从氧化层、HTO层、氮化层和它们的组合构成的组中选出的层形成。

17、如权利要求14的方法，还包括，在形成该绝缘层之前，在包括该第一沟槽和该第二沟槽的该导电层上形成由TEOS层或热氧化层之一形成的侧壁氧化层。

18、如权利要求14的方法，其中使用高纵横比工艺绝缘层或SiO2层形成该绝缘层。

19、如权利要求14的方法，其中：

使用湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺之一蚀刻该绝缘层；以及，

该绝缘层的缝隙比该绝缘层的其它部分蚀刻得快，使得该翼间隔体形成在该隔离层的边缘部分。