[发明专利]基底处理装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810170063.6 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101447401A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张成豪;姜秉万 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张文达 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种基底处理装置以及一种制造基底处理装置的方法。加工设备的加工单元得到模块化，并且得到模块化的加工单元可拆除地被布置在主框架中。根据这一特征，可以减少制造加工设备所需的作业时间和工作量。另外，还可以很容易地完成每一个加工单元的保养/维修。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 处理 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种基底处理装置，包括：加工设备，在其中进行基底处理过程；以及布置在加工设备前侧处的设备前端模块，所述设备前端模块将基底装载到加工设备内或从加工设备中卸载基底，其中，加工设备包括：主框架；以及可拆除地被布置在主框架上的多个加工单元，所述多个加工单元是成模块式地进行设置，以使得根据基底处理过程的功能而相互起作用的多个部件被布置在一个独立壳体内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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