[发明专利]基底处理装置及其制造方法有效
申请号: | 200810170063.6 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101447401A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 张成豪;姜秉万 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张文达 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 处理 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种基底处理装置,包括:
加工设备,在其中进行基底处理过程;以及
布置在加工设备前侧处的设备前端模块,所述设备前端模块将基底装载到加工设备内或从加工设备中卸载基底,
其中,加工设备包括:
主框架;以及
可拆除地被布置在主框架上的多个加工单元,所述多个加工单元中的每一个加工单元是成独立模块式地进行设置,以使得根据基底处理过程的功能而相互起作用的多个部件被布置在一个独立壳体内;
其中,所述加工单元包括:
垂直于设备前端模块进行布置的基底传送单元,该基底传送单元对基底进行传送;以及
平行地布置在基底传送单元两侧处的多个基底处理单元,所述多个基底处理单元对基底进行处理。
2.如权利要求1所述的基底处理装置,其特征在于,加工单元还包括布置在基底传送单元与设备前端模块之间的缓冲单元,其提供一个空间,以供装载在加工设备内或从加工设备中卸载的基底进行暂时保存。
3.如权利要求1所述的基底处理装置,其特征在于,每个基底处理单元包括:
壳体;
上、下腔室,其中在所述上、下腔室中完成基底处理过程,并且上、下腔室垂直布置在壳体内;以及
处理流体供给元件,其将用于处理基底的处理流体供给到上、下腔室,并将用于处理基底的处理流体从上、下腔室中排出,所述处理流体供给元件被布置在位于壳体内的下腔室之下。
4.如权利要求3所述的基底处理装置,其特征在于,加工单元还包括处理流体分配单元,其将处理流体分配到每一个基底处理单元的处理流体供给元件内,并且该处理流体分配单元垂直于基底传送单元的端部进行布置。
5.如权利要求4所述的基底处理装置,其特征在于,基底传送单元具有双重结构,以使得基底传送单元与基底处理单元的上腔室和下腔室相对应。
6.如权利要求5所述的基底处理装置,其特征在于,主框架是由线性元件所构成的空间形式结构。
7.一种基底处理装置,包括:
加工设备,在其中进行单晶片型基底清洗过程;以及
布置在加工设备前侧处的设备前端模块,该设备前端模块将基底装载到加工设备内或从加工设备中卸载基底,
其中加工设备包括:
主框架,其具有由线性元件构成的空间形式结构;
可拆除地被布置在主框架上的多个加工单元,所述多个加工单元中的每一个加工单元是成独立模块式地进行设置,以使得根据基底清洗过程的功能而相互起作用的多个部件被布置在一个独立壳体内;
其中,所述加工单元包括:
垂直于设备前端模块进行布置的基底传送单元,该基底传送单元对基底进行传送;以及
平行地布置在基底传送单元的两侧处的多个清洗单元,所述多个清洗单元对基底进行清洗。
8.如权利要求7所述的基底处理装置,其特征在于,加工单元还包括布置在基底传送单元与设备前端模块之间的缓冲单元,其提供对装载到加工设备内或从加工设备中卸载的基底进行暂时保存的空间。
9.如权利要求7所述的基底处理装置,其特征在于,每个清洗单元包括:
壳体;
垂直布置在壳体内的上、下清洗腔,所述上、下清洗腔采用单晶片加工方法对基底进行清洗;以及
处理流体供给元件,其将处理溶液供给到上、下清洗腔,并将用于清洗基底的处理溶液从上、下清洗腔中排出,所述处理溶液供给元件被布置在壳体内的下清洗腔之下。
10.如权利要求9所述的基底处理装置,其特征在于,处理流体供给元件包括:
循环管路,其使处理流体循环到上、下清洗腔内;以及
布置在循环管路上的泵、过滤器和加热器。
11.如权利要求7所述的基底处理装置,其特征在于,加工单元还包括处理流体分配单元,其将处理流体分配到每一个清洗单元的处理流体供给元件内,所述处理流体分配单元垂直于基底传送单元的端部进行布置。
12.如权利要求11所述的基底处理装置,其特征在于,处理流体分配单元包括:
化学溶液分配单元,其将化学溶液分配到清洗单元以对基底进行化学处理加工;以及
冲洗溶液分配单元,其将冲洗溶液分配到清洗单元以对基底进行冲洗加工。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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