[发明专利]基底处理装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基底处理装置及其制造方法，更具体地涉及一种模块组件类型的基底处理装置及其制造方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，多种材料以薄膜形式沉积在晶片上，随后施加图案以形成半导体器件。为此，需要进行多种不同的处理，例如沉积处理、蚀刻处理、清洗处理以及干燥处理。在每一个过程中，晶片在具有相应过程的最佳条件的过程腔之中/之内得到装载/处理。

最近，随着半导体器件向小型化和高集成度化发展，需要高精度和复杂的处理和大直径晶片。因而，随着单晶片加工或组合加工的增加以及相伴随的产量增加，目前对采用多腔方法的半导体制造装置进行广泛关注。

多腔方法的半导体制造装置包括加工设备以及在加工设备之内和之外对晶片进行传送的设备前端模块(EFEM)。加工设备包括装载单元/卸载单元、索引机器人、缓冲单元、加工腔和基底传送机器人。

发明内容

本发明提供一种基底处理装置及其制造方法，所述基底处理装置使每一个组件模块化，以便于组装/拆卸和保养/维修加工设备。

本发明并不局限于此；本领域技术人员通过参照以下描述将会清楚地了解到本发明的其他目的。

本发明的实施方式提供一种基底处理装置，其包括：加工设备，在其中完成基底处理过程；以及布置在加工设备前侧处的设备前端模块，设备前端模块将基底装载在加工设备内/从加工设备中卸载基底，其中，加工设备包括：主框架；以及可拆除地被布置在主框架中的多个加工单元，以模块形式设置所述多个加工单元，根据基底处理过程的功能相互作用的部件布置在一个独立壳体内。

在一些实施方式中，加工单元可以包括：垂直于设备前端模块布置的基底传送单元，该基底传送单元传送基底；以及平行布置在基底传送单元两侧处的多个基底处理单元，所述多个基底处理单元对基底进行处理。

在其他实施方式中，加工单元还包括布置在基底传送单元与设备前端模块之间的缓冲单元，其提供对装载到加工设备内/从加工设备中卸载的基底进行暂时保存的空间。

在其他实施方式中，每一个基底处理单元可以包括：壳体；上、下腔室，在其中完成基底处理过程，上、下腔室垂直布置在壳体内；以及处理流体供给元件，其将用于处理基底的处理流体供给到上、下腔室并将用于处理基底的处理流体从上、下腔室中排出，处理流体供给元件布置在壳体内下腔室之下。

在其他实施方式中，加工单元还可以包括将处理流体分配到每一个基底处理单元的处理流体供给元件内的处理流体分配单元，该处理流体分配单元垂直于基底传送单元的端部布置。

在其他实施方式中，基底传送单元可以具有双重结构，使得基底传送单元与基底处理单元的上腔室和下腔室相对应。

在其他实施方式中，主框架可以是由线性结构材料构成的空间形式。

在本发明的其他实施方式中，基底处理装置包括：加工设备，在其中完成单晶片型基底清洗过程；以及布置在加工设备前侧处的设备前端模块，该设备前端模块将基底装载到加工设备内/从加工设备中卸载基底，其中加工设备包括：具有由线性结构材料构成的空间形式的主框架；可拆除地被布置在主框架上的多个加工单元，以模块形式设置所述多个加工单元，根据基底清洗过程的功能相互作用的部件布置在一个独立壳体内。

在一些实施方式中，加工单元可以包括：垂直于设备前端模块布置的基底传送单元，该基底传送单元传送基底；以及平行布置在基底传送单元两侧处的多个清洗单元，所述多个清洗单元对基底进行清洗。

在其他实施方式中，加工单元还可以包括布置在基底传送单元与设备前端模块之间的缓冲单元，其提供对装载到加工设备内/从加工设备中卸载的基底进行暂时保存的空间。

在其他实施方式中，每一个清洗单元可以包括：壳体；垂直布置在壳体内的上、下清洗腔，上、下清洗腔采用单晶片加工方法清洗基底；以及处理流体供给元件，其将处理溶液供给到上、下清洗腔并将用于清洗基底的处理溶液从上、下清洗腔中排出，处理溶液供给元件布置在壳体内下清洗腔之下。

在其他实施方式中，处理流体供给元件可以包括：使处理流体循环到上、下清洗腔内的循环管路；以及布置在循环管路上的泵、过滤器和加热器。

在其他实施方式中，加工单元还可以包括将处理流体分配到每一个清洗单元的处理流体供给元件内的处理流体分配单元，处理流体分配单元垂直于基底传送单元的端部布置。

在其他实施方式中，处理流体分配单元可以包括：将化学溶液分配到清洗单元以对基底进行化学处理加工的化学溶液分配单元；以及将冲洗溶液分配到清洗单元以对基底进行冲洗加工的冲洗溶液分配单元。