[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法有效
| 申请号： | 200810169121.3 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101393933A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王晓泉;前田茂伸;金旼炷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/12;H01L27/092;H01L21/84;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的中心栅电极，所述中心栅电极包括金属氮化物；形成于所述中心栅电极的相对侧壁上的源极侧栅电极和漏极侧栅电极，其中所述源极和漏极侧栅电极包括掺杂的金属氮化物，所述掺杂的金属氮化物含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质，且其中所述源极和漏极侧栅电极分别具有与所述中心栅电极的逸出功不同的逸出功；形成于所述中心栅电极、所述源极侧栅电极和所述漏极侧栅电极上的顶栅电极；形成于所述半导体衬底中的源极区，所述源极区形成为邻接所述源极侧栅电极并与所述漏极侧栅电极相对；以及形成于所述半导体衬底中的漏极区，所述漏极区设置为邻接所述漏极侧栅电极并与所述源极侧栅电极相对。
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