[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体晶体管，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的中心栅电极，所述中心栅电极包括金属氮化物；

形成于所述中心栅电极的相对侧壁上的源极侧栅电极和漏极侧栅电极，其中所述源极和漏极侧栅电极包括掺杂的金属氮化物，所述掺杂的金属氮化物含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质，且其中所述源极和漏极侧栅电极分别具有与所述中心栅电极的逸出功不同的逸出功；

形成于所述中心栅电极、所述源极侧栅电极和所述漏极侧栅电极上的顶栅电极；

形成于所述半导体衬底中的源极区，所述源极区形成为邻接所述源极侧栅电极并与所述漏极侧栅电极相对；以及

形成于所述半导体衬底中的漏极区，所述漏极区设置为邻接所述漏极侧栅电极并与所述源极侧栅电极相对。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述半导体衬底包括绝缘体上硅衬底或体硅衬底。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述金属氮化物包括过渡金属氮化物。

4.如权利要求3所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述过渡金属氮化物包括氮化钽或氮化钛。

5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述第一杂质为碳离子。

6.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二杂质包括氟离子。

7.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述中心栅电极、所述源极侧栅电极和所述漏极侧栅电极共同形成金属氮化物栅电极，且所述金属氧化物半导体晶体管还包括：

覆盖所述金属氮化物栅电极以及顶栅电极这两者的侧壁的栅极分隔体。

8.如权利要求7所述的金属氧化物半导体晶体管，还包括：

偏移绝缘层，该偏移绝缘层是形成在所述金属氮化物栅电极和所述顶栅电极这两者以及所述栅极分隔体之间，而且还形成在顶栅电极之上，以及半导体衬底之上。

9.如权利要求8所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述偏移绝缘层的厚度在和之间。

10.如权利要求7所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述金属氮化物栅电极的厚度在和之间。

11.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述顶栅电极包括半导体栅极图案，所述半导体栅极图案的厚度在和之间。

12.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述中心栅电极、所述源极侧栅电极和所述漏极侧栅电极共同形成金属氮化物栅电极，且所述金属氧化物半导体晶体管还包括：

覆盖所述金属氮化物栅电极和所述顶栅电极这两者的侧壁的栅极分隔体。

13.如权利要求12所述的金属氧化物半导体晶体管，还包括：

偏移绝缘层，该偏移绝缘层是形成在所述金属氮化物栅电极和所述顶栅电极这两者以及所述栅极分隔体之间，而且还形成在顶栅电极之上，以及半导体衬底之上。

14.如权利要求13所述的金属氧化物半导体晶体管，其中所述偏移绝缘层的厚度在和之间。

15.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，还包括：

从所述半导体衬底向上凸出的鳍主体；

其中所述中心栅电极、所述源极侧栅电极和所述漏极侧栅电极覆盖所述鳍主体的侧壁和顶表面；且

其中所述源极区和所述漏极区分别形成于邻接所述源极侧栅电极和邻接所述漏极侧栅电极的鳍主体中。