[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810161790.6 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399286A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 石田裕康;佐山康之;冈田哲也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置。以往，在超结结构的半导体装置中，元件区域端部的耗尽层的曲率较大，所以确保较宽的终端区域，并通过在终端区域反复设置p型半导体层和n型半导体层等，使耗尽层向衬底水平方向扩展，从而防止耗尽层端部的内部电场集中。但存在终端区域的宽度大、芯片尺寸增大的问题。本发明在具有超结结构的半导体区域的端部设置包围元件区域的绝缘区域。由于元件区域的耗尽层在绝缘区域终止，所以元件区域的端部不是曲面形状。即，在耗尽层中不存在内部电场集中的曲面，所以不需要设置终端区域来促进耗尽层向水平方向扩展的措施。由于不需要终端区域，所以可实现芯片尺寸的小型化。或者，能够扩大元件区域的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其特征在于，具备：一导电型半导体衬底；半导体区域，其设置在该一导电型半导体衬底上，彼此相互抵接地交替配置一导电型半导体层和逆导电型半导体层，在垂直于所述一导电型半导体衬底的方向上形成多个pn结；元件区域，其设置在该半导体区域的表面；以及绝缘区域，其包围所述元件区域的外周而设置；其中，所述绝缘区域设置成从所述半导体区域的表面到达所述半导体衬底，并且以所述绝缘区域的侧面露出的方式设置在所述半导体区域的端部。
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