[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810161790.6 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399286A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 石田裕康;佐山康之;冈田哲也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
一导电型半导体衬底；
半导体区域，其设置在该一导电型半导体衬底上，彼此相互抵接地交替配置一导电型半导体层和逆导电型半导体层，在垂直于所述一导电型半导体衬底的方向上形成多个pn结；
元件区域，其设置在该半导体区域的表面；以及
绝缘区域，其包围所述元件区域的外周而设置；
其中，所述绝缘区域设置成从所述半导体区域的表面到达所述半导体衬底，并且以所述绝缘区域的侧面露出的方式设置在所述半导体区域的端部，所述绝缘区域的外周端与所述一导电型半导体衬底的外周端一致。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述元件区域设置有绝缘栅型半导体元件。
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