[发明专利]堆叠电容的存储电极的制作方法

摘要

本发明公开了一种堆叠电容的存储电极的制作方法。该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一第一介电层、一支撑层及一第二介电层；在该第一介电层、该支撑层及该第二介电层中蚀刻出一开孔；在该第二介电层及该开孔内形成一导电层；去除该第二介电层上的该导电层，形成一存储电极层；去除该第二介电层；在该支撑层及该存储电极层表面沉积一间隙壁层；进行离子注入，将掺杂剂注入部分该间隙壁层；去除未注入该掺杂剂的该间隙壁层，构成一硬掩模层；蚀穿未被该硬掩模层覆盖的该支撑层，暴露该第一介电层；去除该第一介电层及该硬掩模层。根据本发明，可产生更稳定的存储电极结构，避免所谓的存储电极桥接现象发生。

主权项

1.一种堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于包含有：提供一基底，其中设有一导电区块；在该基底上形成一堆叠层，该堆叠层自该基底表面依序至少包括一第一介电层、一支撑层及一第二介电层；在该堆叠层中形成一开孔，以至少暴露出部分的该导电区块；在该开孔侧壁及底部形成一存储电极层，并去除该第二介电层以暴露出该支撑层表面；共形地沉积一间隙壁层于该支撑层表面及该存储电极层表面；进行一离子注入工艺，以将一掺杂剂注入部分该间隙壁层；选择性的去除掉未被注入该掺杂剂的该间隙壁层，并以剩余的该间隙壁层作为一硬掩模层去除部分该支撑层，由此暴露出部分的该第一介电层；以及完全去除掉该第一介电层以及该硬掩模层。