[发明专利]堆叠电容的存储电极的制作方法

权利要求书

1.一种堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于包含有：

提供一基底，其中设有一导电区块；

在该基底上形成一堆叠层，该堆叠层自该基底表面依序至少包括一第一介电层、一支撑层及一第二介电层；

在该堆叠层中形成一开孔，以至少暴露出部分的该导电区块；

在该开孔侧壁及底部形成一存储电极层，并去除该第二介电层以暴露出该支撑层表面；

共形地沉积一间隙壁层于该支撑层表面及该存储电极层表面；

进行一离子注入工艺，以将一掺杂剂注入部分该间隙壁层；

选择性的去除掉未被注入该掺杂剂的该间隙壁层，并以剩余的该间隙壁层作为一硬掩模层去除部分该支撑层，由此暴露出部分的该第一介电层；以及

完全去除掉该第一介电层以及该硬掩模层。

2.如权利要求1所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该堆叠层中包含一蚀刻停止层，形成于该第一介电层与该基底之间。

3.如权利要求2所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该蚀刻停止层为氮化硅层。

4.如权利要求1所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该支撑层为氮化硅层。

5.如权利要求1所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该存储电极层包含金属。

6.如权利要求1所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该存储电极层包含氮化钛。

7.如权利要求1所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该间隙壁层包含多晶硅。

8.如权利要求1所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该间隙壁层包含二氧化硅。

9.如权利要求1所述的堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于该掺杂剂包含BF₂或Ar。