[发明专利]包括第一沟道和第二沟道的集成电路有效
| 申请号: | 200810161187.8 | 申请日: | 2008-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN101373771A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
| 发明(设计)人: | G·克诺布林格;F·库特纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址: | 德国新*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 披露了一种集成电路。在一个实施例中,集成电路包括第一区和第二区。第一区被应力设计以在具有第一宽度的第一沟道中提供增强的迁移率。第二区被应力设计以在具有第二宽度的第二沟道中提供增强的迁移率。第一沟道和第二沟道提供组合电流,该组合电流大于由单沟道提供的单电流,所述单沟道具有基本上等于第一宽度和第二宽度的总和的单宽度。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 第一 沟道 第二 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:第一应力设计区,其被配置成在具有第一宽度的第一沟道中提供增强的迁移率;以及第二应力设计区,其被配置成在具有第二宽度的第二沟道中提供增强的迁移率,其中第一沟道和第二沟道提供比单电流大的组合电流,所述单电流是由具有基本上等于第一宽度和第二宽度的总和的单宽度的单沟道提供的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





