[发明专利]包括第一沟道和第二沟道的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一应力设计区，其被配置成在具有第一宽度的第一沟道中提供增强的迁移率；以及

第二应力设计区，其被配置成在具有第二宽度的第二沟道中提供增强的迁移率，其中第一沟道和第二沟道被配置成提供比单电流大的组合电流，所述单电流是由被进行应力设计以增强迁移率并且与第一沟道和第二沟道相同、但是具有等于第一宽度和第二宽度的总和的单宽度的单沟道提供的。

2.根据权利要求1的集成电路，其中由于使单沟道性能退化的应力作用，所述组合电流比所述单电流大。

3.根据权利要求1的集成电路，其中由于将第一沟道和第二沟道中的迁移率增强更多的应力作用，所述组合电流比所述单电流大。

4.根据权利要求1的集成电路，其中第一应力设计区类似于第二应力设计区。

5.根据权利要求1的集成电路，其中第一沟道提供第一电流，以及第二沟道提供第二电流，并且所述组合电流是第一电流的两倍。

6.根据权利要求1的集成电路，其中通过浅沟槽隔离区将第一应力设计区与第二应力设计区隔开。

7.根据权利要求1的集成电路，其中第一应力设计区和第二应力设计区在金属氧化物半导体场效应晶体管中。

8.根据权利要求1的集成电路，其中第一应力设计区被配置成通过沿着n沟道金属氧化物半导体器件中的第一沟道的张应力来提供第一沟道中增强的迁移率。

9.根据权利要求1的集成电路，其中第一应力设计区被配置成通过沿着p沟道金属氧化物半导体器件中的第一沟道的压应力来提供第一沟道中增强的迁移率。

10.一种集成电路，包括：

具有第一宽度并被配置成提供第一电流的第一沟道；以及

具有第二宽度并被配置成提供第二电流的第二沟道，其中第一沟道和第二沟道由至多为45纳米的工艺来提供，并且第一电流和第二电流被相加以提供总电流，该总电流与第一宽度和第二宽度的总和成正比，并且大于由单沟道提供的单电流，所述单沟道被进行应力设计以增强迁移率并且与第一沟道和第二沟道相同、但是具有等于第一宽度和第二宽度的总和的单宽度。

11.根据权利要求10的集成电路，其中第一沟道和第二沟道在金属氧化物半导体场效应晶体管中。

12.根据权利要求10的集成电路，包括：

包括第一沟道的第一区；以及

包括第二沟道的第二区。

13.根据权利要求12的集成电路，其中通过浅沟槽隔离区将第一区与第二区隔开。

14.根据权利要求12的集成电路，其中第一区被应力设计以在第一沟道中提供增强的迁移率，并且第二区被应力设计以在第二沟道中提供增强的迁移率。

15.根据权利要求10的集成电路，其中第一宽度等于第二宽度。

16.一种集成电路的按比例调整方法，包括：

通过应力设计在具有第一宽度的第一沟道中增强迁移率；

通过应力设计在具有第二宽度的第二沟道中增强迁移率；以及

将来自第一沟道和第二沟道的电流组合以提供组合电流，该组合电流比通过单沟道所提供的单电流大，所述单沟道被进行应力设计以增强迁移率并且与第一沟道和第二沟道相同、但是具有等于第一宽度和第二宽度的总和的单宽度。

17.根据权利要求16的方法，包括：

由于使具有较大宽度的沟道的性能退化的应力作用，较小地增强具有较大宽度的沟道中的迁移率。

18.根据权利要求16的方法，包括：

由于较大地增强具有较小宽度的沟道中的迁移率的应力作用，较大地增强具有较小宽度的沟道中的迁移率。

19.根据权利要求16的方法，其中增强第一沟道中的迁移率包括：

通过沿着n沟道金属氧化物半导体器件中的第一沟道的张应力增强第一沟道中的迁移率。

20.根据权利要求16的方法，其中增强第一沟道中的迁移率包括：

通过沿着p沟道金属氧化物半导体器件中的第一沟道的压应力增强第一沟道中的迁移率。