[发明专利]晶片级直立式的二极管封装结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200810161100.7 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101685836A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 汪秉龙;萧松益;陈政吉 | 申请（专利权）人： | 宏齐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/329;H01L21/78;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶片级直立式的二极管封装结构及其制作方法，该二极管封装结构包括：一第一型半导体材料层、一第二型半导体材料层、一绝缘单元、一第一导电结构及一第二导电结构。第二型半导体材料层连接于第一型半导体材料层的一表面。绝缘单元环绕包覆第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层的周围。第一导电结构成形于第一型半导体材料层的表面上及绝缘单元的一侧边上。第二导电结构成形于第二型半导体材料层的表面上及绝缘单元的另外一相反侧边上。通过绝缘单元、第一导电结构及第二导电结构，以将第一型半导体材料层及第二型半导体材料层全部包覆。本发明降低了“材料成本”及“加工成本”，二极管封装结构的导电路径较短，且导电特性较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 立式 二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶片级直立式的二极管封装结构，其特征在于，包括：一第一型半导体材料层；一第二型半导体材料层，其连接于该第一型半导体材料层的一表面；一绝缘层，其选择性地环绕包覆该第一型半导体材料层的一部分周围、环绕包覆该第一型半导体材料层的周围、或环绕包覆该第一型半导体材料层的周围及该第二型半导体材料层的一部分周围；一第一导电结构，其成形于该第一型半导体材料层的表面上及该绝缘层的表面上；以及一第二导电结构，其成形于该第二型半导体材料层的表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宏齐科技股份有限公司，未经宏齐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810161100.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体芯片模块
- 下一篇：存储器元件及其制造方法、半导体元件
- 同类专利
- 专利分类
