[发明专利]晶片级直立式的二极管封装结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种二极管封装结构的制作方法，尤其涉及一种晶片级直立 式的二极管封装结构的制作方法。

背景技术

请参阅图1所示，其为公知二极管封装结构的剖面示意图。由上述图中 可知，公知二极管封装结构具有一P型半导体材料层P、一N型半导体材料 层N、一金属导线L及一封装胶体C。其中，该P型半导体材料层P与该N 型半导体材料层N相互连接在一起，该N型半导体材料层N直接电性连接于 一电路板D上，并且该P型半导体材料层P通过该金属导线L并以打线的方 式电性连接于该电路板D上。此外，该封装胶体C用以将该P型半导体材料 层P、该N型半导体材料层N及该金属导线L包覆起来，以完成公知的二极 管封装结构，此种公知的二极管封装结构作为无源元件来使用。

然而，上述公知的二极管封装结构仍具有下列技术缺陷存在：

1、由于公知的二极管封装结构还需要进行“金属打线”及“胶体封装” 两道制作过程，因此造成“材料成本”及“加工成本”的增加。

2、由于公知的二极管封装结构仍需通过该金属导线L来与该电路板D 产生导电连接，因此公知二极管封装结构的导电路径较长，并且导电特性较 差。

是以，由上可知，上述公知的二极管封装结构，在实际使用上，显然具 有不便与技术缺陷存在。因此，本发明人有感上述技术缺陷的可改善性，且 依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用， 而提出一种设计合理且有效改善上述技术缺陷的本发明。

发明内容

本发明所要解决的技术问题，在于提供一种晶片级直立式的二极管封装 结构的制作方法。本发明通过至少一绝缘层及至少两个导电结构的配合来封 装两个相互连接的P型半导体材料层及N型半导体材料层，以完成一个二极 管封装结构；并且该二极管封装结构通过上述至少两个导电结构直接与一电 路板产生电性连接，以使得该二极管封装结构以直立的方式电性地设置于该 电路板上，因此本发明能够制作出一种晶片级直立式的二极管封装结构。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种晶片级 直立式的二极管封装结构，其包括：一第一型半导体材料层、一第二型半导 体材料层、一绝缘层、一第一导电结构及一第二导电结构。其中，该第二型 半导体材料层连接于该第一型半导体材料层的一表面。该绝缘层选择性地环 绕包覆该第一型半导体材料层的一部分周围、环绕包覆该第一型半导体材料 层的周围、或环绕包覆该第一型半导体材料层的周围及该第二型半导体材料 层的一部分周围。该第一导电结构成形于该第一型半导体材料层的表面上及 该绝缘层的表面上。该第二导电结构成形于该第二型半导体材料层的表面 上。此外，通过该绝缘层、该第一导电结构及该第二型半导体材料层，以将 该第一型半导体材料层全部包覆。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种晶片级 直立式的二极管封装结构，其包括：一第一型半导体材料层、一第二型半导 体材料层、一绝缘单元、一第一导电结构及一第二导电结构。其中，该第二 型半导体材料层连接于该第一型半导体材料层的一表面。该绝缘单元环绕包 覆该第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层的周围。该第一导电 结构成形于该第一型半导体材料层的表面上及该绝缘单元的一侧边上。该第 二导电结构成形于该第二型半导体材料层的表面上及该绝缘单元的另外一 相反侧边上。此外，该绝缘单元具有一用于环绕包覆该第一型半导体材料层 的周围及第二型半导体材料层的一部分周围的第一绝缘层及一用于环绕包 覆第二型半导体材料层的其余周围的第二绝缘层。另外，通过该绝缘单元、 该第一导电结构及该第二导电结构，以将该第一型半导体材料层及该第二型 半导体材料层全部包覆。