[发明专利]晶片级直立式的二极管封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法，其特征在于，依 序包括下列步骤：

提供一个二极管晶片，其具有一第一型半导体材料单元及一成形于该第 一型半导体材料单元底端的第二型半导体材料单元；

成形多个彼此相互交错且穿透该第一型半导体材料单元及部分第二型 半导体材料单元的第一凹槽；

成形一第一绝缘单元于所述多个第一凹槽内；

成形一第一导电单元于该第一型半导体材料单元的表面上及该第一绝 缘单元的表面上；

将该二极管晶片翻转，以使得该第二型半导体材料单元朝上；

成形多个穿透部分第二型半导体材料单元且裸露出该第一绝缘单元的 第二凹槽；

成形一第二绝缘单元于所述多个第二凹槽内，以使得该第一绝缘单元与 该第二绝缘单元相连在一起，进而使得该第一型半导体材料单元变成多个第 一型半导体材料层，使得该第二型半导体材料单元变成多个分别与所述多个 第一型半导体材料层连接的第二型半导体材料层；

成形一第二导电单元于该第二型半导体材料层的表面上及该第二绝缘 单元的表面上；以及

沿着所述多个第一凹槽或所述多个第二凹槽，依序切割该第二导电单 元、该第二绝缘单元、该第一绝缘单元及该第一导电单元，以分别形成多个 第二导电结构、多个第二绝缘层、多个第一绝缘层及多个第一导电结构，并 且完成该晶片级直立式的二极管封装结构的制作。

2.如权利要求1所述的晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法， 其特征在于：每一个第一型半导体材料层为一P型半导体材料层，并且每一 个第二型半导体材料层为一N型半导体材料层。

3.如权利要求1所述的晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法， 其特征在于：每一个第一型半导体材料层为一N型半导体材料层，并且每一 个第二型半导体材料层为一P型半导体材料层。

4.如权利要求1所述的晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法， 其特征在于：通过每一个第一导电结构、每一个第二导电结构、每一个第一 绝缘层及每一个第二绝缘层，以将该第一型半导体材料层及该第二型半导体 材料层全部包覆。

5.如权利要求1所述的晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法， 其特征在于：每一个第一导电结构具有一成形于该第一型半导体材料层的表 面上及该第一绝缘层的表面上的凸块底层金属层、一成形于该凸块底层金属 层上的第一导电层、及一成形于该第一导电层上的第二导电层，并且每一个 第二导电结构具有一成形于该第二型半导体材料层的表面上及该第二绝缘 层的表面上的凸块底层金属层、一成形于该凸块底层金属层上的第一导电 层、及一成形于该第一导电层上的第二导电层。

6.如权利要求1所述的晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法， 其特征在于：每一个第一导电结构及每一个第二导电结构分别通过至少两个 锡球或至少两层锡膏以直立的方式电性连接于一电路板上。

7.如权利要求1所述的晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法， 其特征在于：每一个第一型半导体材料层具有至少两个彼此绝缘的导电焊 盘，并且每一个第一导电结构具有两组分别电性连接于上述至少两个导电焊 盘的导电结构及一设置于上述两组导电结构之间的绝缘结构。

8.如权利要求1所述的晶片级直立式的二极管封装结构的制作方法， 其特征在于：每一个第一型半导体材料层与每一个第二型半导体材料层组合 成一个二极管，并且每一个第二导电结构、每一个第二绝缘层、每一个第一 绝缘层及每一个第一导电结构相互配合以封装每一个二极管。