[发明专利]一种太阳电池芯片背电极的制备方法

摘要

本发明公开的一种太阳电池芯片背电极的制备方法，在太阳电池芯片的衬底背面蚀刻出若干个槽深为20μm～150μm的非连续性凹槽；然后在衬底背面通过金属蒸镀工艺蒸镀背电极金属，该金属在凹槽中的部分与在衬底背面的部分一体成型为背电极；在化合物太阳电池芯片的衬底背面蚀刻出若干个槽深较深、形状、大小和排列方式是规则或不规则的非连续性凹槽，通过蒸镀工艺使电极金属的凹槽填满并和衬底背面蒸镀的电极金属部分一体成型为背电极，在不改变衬底厚和降低衬底强度的情况下，由于衬底凹槽中金属电极密集，在缩短其内部的导热通道的同时，亦使芯片的串联电阻大大降低，因此大大提高了太阳电池芯片的散热性能和光电转换效率。

主权项

1. 一种太阳电池芯片背电极的制备方法，其特征在于：①在太阳电池芯片的衬底背面蚀刻出若干个槽深为20μm～150μm的非连续性凹槽；②在衬底背面通过金属蒸镀工艺蒸镀背电极金属，该金属在凹槽中的部分与在衬底背面的部分一体成型为背电极。