[发明专利]一种太阳电池芯片背电极的制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池芯片背电极的制备方法，其特征在于：

①在太阳电池芯片的衬底背面蚀刻出若干个槽深为20μm～150μm的非连续性凹槽；

②在衬底背面通过金属蒸镀工艺蒸镀背电极金属，该金属在凹槽中的部分与在衬底背面的部分一体成型为背电极。

2.根据权利要求1所述的一种太阳电池芯片背电极的制备方法，其特征在于：所述的太阳电池芯片为单结或多结化合物太阳电池芯片。

3.根据权利要求1所述的一种太阳电池芯片背电极的制备方法，其特征在于：在衬底蚀刻凹槽之前，先在衬底表面通过光刻工艺形成图案；衬底凹槽图案，其形状、大小和排列方式是规则或不规则的。

4.根据权利要求1或2所述的一种太阳电池芯片背电极的制备方法，其特征在于：凹槽蚀刻工艺采用干法蚀刻或湿法蚀刻。

5.根据权利要求1所述的一种太阳电池芯片背电极的制备方法，其特征在于：背电极也可采用溅射或电镀背电极金属的工艺在衬底的背面形成。