[发明专利]非易失性半导体存储装置无效
| 申请号： | 200810149738.9 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101393932A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 儿玉典昭 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L27/115;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种能获得离散小的稳定的晶体管特性，能获得充分的阈值电压、导通电流的变动的非易失性半导体存储装置。其具备：在半导体基板(1)表面上形成的源极(2)及漏极(3)；以及在源极(2)和漏极(3)之间的半导体基板(1)上隔着栅极绝缘膜(4)而形成的栅极电极(5)，栅极电极(5)的一部分区域成为未在多硅中注入杂质的非掺杂区域(10)，栅极电极(5)的其他区域成为在多硅中注入杂质的掺杂区域(9)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：在半导体基板表面上形成的源极及漏极；以及在上述源极和上述漏极之间的上述半导体基板上隔着栅极绝缘膜而形成的栅极电极，上述栅极电极的一部分区域成为非掺杂区域，上述栅极电极的其他区域成为掺杂区域。
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