[发明专利]形成具有接纳电连接件倾斜边缘的半导体电路小片的方法无效
| 申请号： | 200810149612.1 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101393876A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 奇门·于;廖智清;赫姆·塔基阿尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;H01L25/00;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种形成低型面半导体封装的方法和一种借此形成的半导体封装。半导体电路小片形成有一个或一个以上倾斜边缘，导电迹线可沉积在所述倾斜边缘上以允许将所述半导体电路小片耦合到另一电路小片和/或上面安装所述电路小片的衬底。将所述电迹线直接沉积在所述电路小片的表面和倾斜边缘上允许在不用结合线的情况下对所述电路小片进行电耦合，进而允许所述封装的总厚度减小。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 接纳 连接 倾斜 边缘 半导体 电路 小片 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成半导体电路小片的方法，其包括以下步骤：(a)在所述半导体电路小片的表面上形成电路小片结合垫；以及(b)用沿着所述半导体电路小片的第一边缘的切口从晶片单一化所述半导体电路小片，从而在所述半导体电路小片上形成倾斜边缘以用于接纳导电迹线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克股份有限公司，未经桑迪士克股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810149612.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有报警装置的线切割机床钼丝断丝制动装置
- 下一篇：清洁半导体晶片的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
