[发明专利]形成具有接纳电连接件倾斜边缘的半导体电路小片的方法

权利要求书

1.一种形成半导体电路小片的方法，其包括以下步骤：

(a)在所述半导体电路小片的表面上形成电路小片结合垫；以及

(b)用沿着所述半导体电路小片的第一边缘的切口从晶片单一化所述半导体电路小片，从而在所述半导体电路小片上形成倾斜边缘以用于接纳导电迹线。

2.根据权利要求1所述的方法，所述在所述半导体电路小片上形成倾斜边缘的步骤(b)包括以下步骤：在所述半导体电路小片的所述表面与所述第一倾斜边缘之间形成介于120度与150度之间的角度。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括步骤(c)：用沿着所述半导体电路小片的与所述第一边缘相对的第二边缘的切口从所述晶片单一化所述半导体电路小片，所述步骤(c)通过以与所述半导体电路小片的所述表面成倾斜角度形成切口而进行，以在所述半导体电路小片上形成第二倾斜边缘。

4.根据权利要求3所述的方法，所述步骤(c)在所述表面与所述第二倾斜边缘之间形成大于90度的角度。

5.根据权利要求4所述的方法，所述步骤(c)在所述表面与所述第二倾斜边缘之间形成介于120度与150度之间的角度。

6.根据权利要求4所述的方法，所述步骤(c)在所述半导体电路小片上形成倾斜边缘以用于接纳导电迹线。

7.根据权利要求3所述的方法，所述步骤(c)在所述半导体电路小片的所述表面与所述第二倾斜边缘之间形成小于90度的角度。

8.根据权利要求7所述的方法，所述步骤(c)在所述表面与所述第二倾斜边缘之间形成介于30度与60度之间的角度。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括步骤(d)：用沿着在所述第一与第二边缘之间延伸的第三和第四边缘的切口从所述晶片单一化所述半导体电路小片。

10.根据权利要求9所述的方法，所述用沿着第三和第四边缘的切口从所述晶片单一化所述半导体电路小片的步骤(d)包括以下步骤：以与所述半导体电路小片成倾斜角度切割所述第三和第四边缘中的至少一者，以在所述第三和第四边缘中的至少一者上形成倾斜边缘。

11.根据权利要求1所述的方法，所述用沿着所述半导体电路小片的第一边缘的切口从晶片单一化所述半导体电路小片的步骤(b)包括以下步骤：用激光切割所述第一边缘。

12.根据权利要求1所述的方法，所述用沿着所述半导体电路小片的第一边缘的切口从晶片单一化所述半导体电路小片的步骤(b)包括以下步骤：用锯子切割所述第一边缘。

13.根据权利要求1所述的方法，所述用沿着所述半导体电路小片的第一边缘的切口从晶片单一化所述半导体电路小片的步骤(b)包括以下步骤：通过在所述半导体电路小片与下一相邻半导体电路小片之间进行化学蚀刻来切割所述第一边缘。

14.一种将半导体电路小片电耦合到另一组件的方法，其包括以下步骤：

(a)在所述半导体电路小片的表面上形成电路小片结合垫；

(b)用与所述半导体电路小片的所述表面成倾斜角度形成的切口从下一相邻半导体电路小片单一化所述半导体电路小片，以在所述半导体电路小片上形成倾斜边缘；以及

(c)在所述半导体电路小片上形成导电迹线，所述导电迹线耦合到在所述步骤(a)中形成的所述电路小片结合垫且沿着在所述步骤(b)中形成的所述半导体电路小片的所述倾斜边缘向下延伸。

15.根据权利要求14所述的方法，所述从所述下一相邻半导体单一化所述半导体电路小片的步骤(b)包括以下步骤：用激光单一化所述半导体电路小片。

16.根据权利要求14所述的方法，所述从所述下一相邻半导体单一化所述半导体电路小片的步骤(b)包括以下步骤：用锯子单一化所述半导体电路小片。

17.根据权利要求14所述的方法，所述从所述下一相邻半导体单一化所述半导体电路小片的步骤(b)包括以下步骤：通过在所述半导体电路小片与所述下一相邻半导体电路小片之间化学蚀刻切口来单一化所述半导体电路小片。